MTW20N50E 时间：2025/8/28 15:16:29 阅读：20

MTW20N50E 是一款由 Microsemi（现为 Microchip Technology）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高电压、高电流应用场景设计，广泛应用于电源转换、马达控制、DC-DC 转换器、电池管理系统以及工业自动化设备中。MTW20N50E 具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力（500V），能够在较高的开关频率下工作，同时保持较低的开关损耗和导通损耗，是高性能功率电子系统中的理想选择。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　漏极电流（Id）：20A
　　导通电阻 Rds(on)：最大 0.22Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247
　　栅极电荷 Qg：典型值 48nC
　　输入电容 Ciss：典型值 1300pF
　　功耗（Pd）：160W

特性

MTW20N50E MOSFET 采用先进的平面工艺制造，具有出色的热稳定性和耐用性。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗，提高系统效率，并降低工作时的温升。该器件具备高耐压能力，可承受高达 500V 的漏源电压，适合高压电源系统的设计。此外，MTW20N50E 具有快速开关特性，适用于高频开关应用，减少能量损耗并提升系统响应速度。
　　为了增强其在恶劣环境下的可靠性，MTW20N50E 的封装设计具有良好的散热性能，能够有效传导热量并维持稳定的工作温度。该 MOSFET 还具备较高的雪崩能量承受能力，确保在突发过电压条件下仍能正常工作，从而提高整体系统的安全性与稳定性。
　　MTW20N50E 的栅极驱动特性优化，确保在较低的栅极驱动电压下也能实现良好的导通性能，降低了对驱动电路的要求。这使得它能够兼容多种常见的 PWM 控制器和驱动 IC，便于设计和集成。

应用

MTW20N50E 主要应用于各类功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、马达驱动器、电池充电系统以及工业自动化控制系统。由于其高耐压、低导通电阻和良好的热性能，该器件特别适用于需要高效能和高可靠性的电源管理场景，例如 UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、电动车充电模块以及工业电机控制电路。此外，在家用电器如变频空调、电磁炉等产品中，MTW20N50E 也可作为关键的功率开关元件使用。