时间：2025/5/28 13:57:50
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RP119N281D-TR-FF 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），适用于高频、高效率功率转换应用场景。该器件采用先进的封装工艺，能够承受较高的电压和电流，同时具备低导通电阻和快速开关特性，从而显著提升系统效率。
这款 GaN 器件主要面向消费电子、工业电源以及通信设备等应用领域，支持更高的工作频率和更紧凑的设计方案。
型号：RP119N281D-TR-FF
类型：增强型 GaN HEMT
最大漏源电压：650 V
最大连续漏极电流：100 A
导通电阻：17 mΩ（典型值）
栅极电荷：45 nC（最大值）
开关频率范围：高达 2 MHz
结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247-4L
RP119N281D-TR-FF 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高电流应用中减少功耗并提高效率。
2. 高击穿电压能力，使其适合高压环境下的运行。
3. 快速开关速度和低栅极电荷设计，有助于降低开关损耗并支持高频操作。
4. 采用 TO-247-4L 封装，具有良好的散热性能，便于安装与集成。
5. 具备优异的热稳定性和可靠性，可适应严苛的工作条件。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
RP119N281D-TR-FF 广泛应用于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中的功率级控制。
2. 太阳能逆变器和储能系统的高效能量转换。
3. 数据中心及服务器电源模块的高密度设计。
4. 电动车辆（EV）和混合动力汽车（HEV）中的车载充电器与电机驱动电路。
5. 工业自动化设备中的高频驱动电路。
6. 无线通信基站和其他射频功率放大器的相关应用。
RP119N280D-TR-FF
RP120N281D-TR-FF
GAN042-650WSA
