时间：2025/7/9 17:29:31
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RF03N2R2C500CT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高频射频功率晶体管，适用于无线通信、雷达系统以及其他射频功率放大应用。该器件采用先进的 GaN-on-SiC 技术制造，具备高效率和高功率密度的特点。
其封装形式为符合行业标准的表面贴装类型，便于自动化装配流程。RF03N2R2C500CT 在高频段表现出卓越的增益和线性度，同时支持宽带宽操作，使其成为现代射频系统的理想选择。
型号：RF03N2R2C500CT
工作频率范围：30 MHz 至 3 GHz
输出功率：50 W（典型值）
增益：10 dB（典型值）
效率：65%（典型值，在 1 GHz 下测得）
最大漏极电压：50 V
输入匹配阻抗：50 Ω
封装类型：SMD（表面贴装）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
RF03N2R2C500CT 具有以下显著特性：
1. 高效率：通过氮化镓技术实现高效能量转换，减少热量产生并提高整体系统性能。
2. 宽带宽能力：支持从 30 MHz 到 3 GHz 的宽频率范围，适用于多种射频应用场景。
3. 高功率密度：在紧凑型封装内提供高达 50 W 的输出功率。
4. 良好的线性度：即使在高功率条件下，也能保持较低的失真水平。
5. 稳定性强：在宽温度范围内保持一致的电气性能，适应恶劣环境条件。
6. 易于集成：采用标准 SMD 封装，简化设计和生产流程。
RF03N2R2C500CT 广泛应用于以下领域：
1. 无线通信基站：用于提高信号覆盖范围和传输质量。
2. 雷达系统：提供强大的发射功率以增强探测距离和精度。
3. 医疗设备：如超声波成像等需要高精度射频控制的应用。
4. 工业加热与等离子体激发：利用射频能量进行材料处理或化学反应。
5. 测试与测量仪器：为高性能测试设备提供稳定可靠的射频源。
RF03N2R2C300CT, RF03N2R2C700CT
