2SD1998-TD是一款由Rohm(罗姆)公司生产的NPN型双极性晶体管(BJT),广泛应用于功率放大、开关电路以及各类模拟电子设备中。该晶体管采用先进的平面硅技术制造,具备高可靠性和稳定性,适用于需要高电流增益和低饱和电压的场景。2SD1998-TD通常封装在小型化的TD形表面贴装封装(S-Mini或类似)中,适合现代紧凑型电子设备的设计需求。其结构优化使得在高频工作条件下仍能保持良好的性能表现,同时具备较低的寄生电感与电容,有助于提升整体电路效率。
该器件常用于音频功率放大器、DC-DC转换器、电机驱动、继电器控制以及其他需要中等功率处理能力的应用场合。由于其优良的热稳定性和电气特性,2SD1998-TD在工业控制、消费电子及通信设备中均有广泛应用。此外,该型号符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适应现代绿色电子产品制造的要求。
类型:NPN
集电极-发射极电压(VCEO):300 V
集电极-基极电压(VCBO):300 V
发射极-基极电压(VEBO):7 V
集电极电流(IC):500 mA
集电极峰值电流(ICM):1.5 A
功耗(PC):500 mW
直流电流增益(hFE):120 ~ 480(测试条件IC = 150 mA)
过渡频率(fT):120 MHz
饱和电压(VCE(sat)):典型值 0.3 V(IC = 150 mA, IB = 15 mA)
工作结温范围(Tj):-55 °C 至 +150 °C
存储温度范围(Tstg):-55 °C 至 +150 °C
封装形式:S-Mini(TD)
2SD1998-TD晶体管具备优异的高频响应能力和稳定的直流电流增益,使其在宽频率范围内都能保持良好的放大线性度。其典型的过渡频率达到120MHz,适用于中高频信号放大应用,如射频前端模块或宽带放大器设计。此外,该器件具有较高的电压耐受能力,集电极-发射极电压可承受高达300V,使其能够在高压环境中稳定运行,例如在开关电源中的驱动级使用。
该晶体管的直流电流增益(hFE)范围为120至480,在IC=150mA的标准测试条件下表现出良好的一致性,有利于简化偏置电路设计并提高系统稳定性。低饱和压降特性(VCE(sat)典型值仅为0.3V)显著降低了导通损耗,提高了能源利用效率,特别适合用于电池供电或节能型设备中。
2SD1998-TD采用了小型表面贴装封装,具有较小的体积和良好的散热性能,便于自动化贴片生产,提升了PCB布局的灵活性。其封装材料具备良好的耐热性和机械强度,可在恶劣环境条件下长期稳定工作。此外,器件内部结构经过优化,减小了寄生参数的影响,从而改善了高频性能和开关速度。
该晶体管还具备出色的温度稳定性,在-55°C到+150°C的结温范围内仍能维持关键电气参数的正常表现,适用于工业级和汽车级应用场景。同时,产品通过了严格的可靠性测试,确保在长时间运行中不会出现性能衰减或早期失效问题。
2SD1998-TD广泛应用于多种电子系统中,特别是在需要中等功率放大或高速开关功能的场合。典型应用包括音频放大器的前置或驱动级,其中其高增益和低失真特性能够有效提升音质表现。在DC-DC转换器和开关电源中,该晶体管可用于PWM控制电路或作为初级侧开关元件,实现高效的能量转换。
在电机控制和继电器驱动电路中,2SD1998-TD凭借其高电流驱动能力和快速开关特性,能够可靠地控制负载通断,防止反向电动势损坏控制单元。此外,它也常用于脉冲宽度调制(PWM)信号放大、LED驱动电路以及各类工业自动化控制系统中。
由于其小型化封装和高可靠性,该器件同样适用于便携式消费类电子产品,如智能家电、无线充电设备、电源适配器等。在通信设备中,2SD1998-TD可用于中频放大或信号调理电路,确保信号传输的完整性与稳定性。总体而言,这款晶体管因其多功能性和稳健性能,成为许多中低压模拟与数字混合电路中的优选器件。
2SD1997-TD
2SC5305-TD
KSC2383
BC639