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RF03N220J100CT 发布时间 时间:2025/7/2 12:01:46 查看 阅读:5

RF03N220J100CT 是一款高性能的射频功率晶体管,专为高频无线通信应用设计。该器件采用了先进的硅锗(SiGe)或LDMOS工艺制造,能够在高频率和大功率条件下提供优异的性能表现。其主要应用于基站、无线电设备和其他需要高线性度和效率的射频功率放大器场景。

参数

型号:RF03N220J100CT
  工作频率范围:1.8 GHz 至 2.2 GHz
  输出功率:100 W(典型值)
  增益:14 dB(典型值)
  效率:50%(典型值)
  输入匹配阻抗:50 Ω
  输出匹配阻抗:50 Ω
  电源电压:28 V
  封装形式:陶瓷气密封装
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃

特性

RF03N220J100CT 的主要特性包括出色的射频性能、高可靠性以及易于集成的能力。
  首先,该晶体管在高频段表现出色,具有高增益和高线性度,能够有效减少信号失真,从而提高通信系统的整体质量。
  其次,这款器件具备高效的能量转换能力,在维持高输出功率的同时降低了功耗和热量生成,使其非常适合长时间运行的应用。
  此外,它采用坚固耐用的陶瓷气密封装,能够抵御恶劣环境条件,保证了长期使用的稳定性。同时,其优化的输入和输出阻抗匹配设计简化了电路设计流程,减少了外部元件的需求,从而降低了系统复杂性和成本。

应用

RF03N220J100CT 广泛应用于各种射频功率放大器领域,尤其是对输出功率和效率要求较高的场合。
  具体来说,它常用于:
  - 无线通信基站中的射频功率放大器模块,支持 LTE、5G 和其他现代无线标准。
  - 固定微波链路设备,用于点对点数据传输。
  - 军用及专业无线电设备,如战术电台和应急通信系统。
  - 测试测量仪器,例如信号发生器和网络分析仪中的功率放大组件。
  总之,这款晶体管因其卓越的性能而成为这些关键应用的理想选择。

替代型号

RF03N220J80CT, RF03N180J100CT

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RF03N220J100CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格15,000 : ¥0.19222卷带(TR)
  • 系列RF
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容22 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定10V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0201(0603 公制)
  • 大小 / 尺寸0.024" 长 x 0.012" 宽(0.60mm x 0.30mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.013"(0.33mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-