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BM29U0.6-2DS/2-0.35V(86) 发布时间 时间:2025/9/4 22:41:42 查看 阅读:2

BM29U0.6-2DS/2-0.35V(86) 是一款由 ROHM(罗姆)公司制造的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要设计用于高效率、低电压应用,例如电池供电设备、便携式电子产品以及电源管理系统。这款MOSFET采用先进的半导体技术,提供高性能和高可靠性,同时具备较小的封装尺寸,以满足现代电子设备对空间的严格要求。

参数

类型:MOSFET(N沟道)
  漏极电流(Id):0.6A
  漏源电压(Vds):20V
  栅源电压(Vgs):±8V
  导通电阻(Rds(on)):0.35Ω
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:TSMT6(双栅极封装)

特性

BM29U0.6-2DS/2-0.35V(86) 具有多个关键特性,使其在低功率应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))为 0.35Ω,这有助于减少导通状态下的功率损耗,提高整体系统效率。此外,该器件支持最大 0.6A 的漏极电流,适用于多种便携式电子设备的电源管理需求。MOSFET 的栅源电压范围为 ±8V,提供了良好的栅极控制能力,同时防止栅极氧化层击穿,提高器件的稳定性和可靠性。
  其采用的 TSMT6 封装是一种小型化表面贴装封装,具备优异的热管理和空间利用率,适合高密度 PCB 设计。此外,该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,能够在各种恶劣环境条件下稳定运行,适用于工业级和消费类电子产品。BM29U0.6-2DS/2-0.35V(86) 还具有快速开关特性,能够有效降低开关损耗,提高电源转换效率。这使其成为DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统等应用的理想选择。

应用

BM29U0.6-2DS/2-0.35V(86) 广泛应用于多个领域,特别是在需要高效能、低功耗和小型化设计的场合。例如,在便携式消费电子产品(如智能手机、平板电脑、可穿戴设备)中,该MOSFET可用于电池管理系统和电源切换控制。此外,它也适用于工业自动化设备中的传感器和执行器驱动电路,提供稳定的功率控制。
  在电源管理模块中,该MOSFET可用于构建高效的DC-DC转换器和同步整流器,以提高能量转换效率并减少发热。在电机控制应用中,BM29U0.6-2DS/2-0.35V(86) 可用于实现精确的速度和方向控制,适用于小型电机和步进电机驱动电路。此外,该器件还适用于LED照明系统中的恒流驱动电路,确保光源的稳定性和长寿命。

替代型号

2N7002, BSS138, FDS6679, DMG23DSN018

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