RESDH65V0P是一种基于硅 carbide(碳化硅)技术的功率二极管,主要用于高频开关和高电压处理场景。这种器件具有出色的反向恢复特性以及低正向压降,适用于各种电力电子设备中的整流和保护电路。由于其材料特性和设计优化,RESDH65V0P能够在高温和高压环境下保持稳定性能,同时减少能量损耗。
额定电压:650V
额定电流:1A
正向压降:≤1.4V(在25°C时,典型值为1.2V)
反向恢复时间:≤20ns
工作结温范围:-55°C至175°C
封装形式:TO-252
存储温度范围:-55°C至150°C
RESDH65V0P采用了先进的碳化硅技术,显著降低了正向导通损耗和开关损耗。
它具备快速的反向恢复时间,能够适应高频应用场景。
该器件的耐高温能力较强,适合用在对环境温度要求较高的场合。
此外,RESDH65V0P还拥有良好的浪涌电流承受能力,提高了系统的可靠性和稳定性。
整体上,这款功率二极管以高效、耐用和低功耗著称,是现代电力电子系统中的理想选择。
RESDH65V0P广泛应用于开关电源(SMPS)、太阳能逆变器、电机驱动、不间断电源(UPS)以及其他需要高效整流和保护功能的电力电子设备中。
它特别适合高频DC-DC转换器的设计,能够有效减少电磁干扰并提升效率。
另外,在电动汽车充电设施和工业自动化控制领域也有广泛应用。
凭借其卓越的性能,该器件可满足多种复杂工况下的使用需求。
RESDH65V1P
SSD15H65S
CDD65H10