时间：2025/7/3 14:11:39
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TVSD15VADGP是基于硅雪崩击穿原理设计的瞬态抑制二极管阵列，主要用于保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）、雷击和其他瞬态电压脉冲的损害。该器件采用超紧凑SOD-323封装形式，适合高密度电路板布局。其快速响应时间使其能够有效地箝位过压脉冲，同时保持低漏电流以减少对系统性能的影响。
TVSD15VADGP广泛应用于消费类电子产品、通信设备和工业控制系统的信号线和数据接口保护。
最大反向工作电压：15V
击穿电压：16.4V
最大峰值脉冲电流（8/20μs）：17A
箝位电压（ IPP=8.9A ）：27.6V
结电容：12pF
反向漏电流：1μA
响应时间：1ns
工作温度范围：-55℃至+150℃
TVSD15VADGP具有出色的静电防护能力，符合IEC61000-4-2国际标准，可承受±30kV（空气放电）和±30kV（接触放电）。其超低电容值确保了对高速数据线路的兼容性，不会显著降低信号完整性。
此外，器件具备高可靠性，能够在恶劣环境下长期稳定运行，并且通过了MIL-STD-883军用级测试认证。它还拥有非常低的动态电阻，从而有效减少了在瞬态事件中的功率损耗。
TVSD15VADGP适用于USB接口、HDMI端口、以太网端口、RS-232/RS-485串行通信链路以及其他低压数字I/O引脚的保护。此外，它还可用于手机、平板电脑、笔记本电脑、网络交换机和路由器等设备中，防止因外部干扰而导致的数据丢失或硬件损坏。
由于其小型化封装设计，TVSD15VADGP特别适合于空间受限的应用场合，如可穿戴设备和物联网终端节点。
PESD15VB1PL,TVS15A-T4G
