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GJM0335C1E110GB01D 发布时间 时间:2025/7/5 2:34:54 查看 阅读:21

GJM0335C1E110GB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的场景。该型号属于沟道增强型MOSFET系列,采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等优点。
  该器件通常用于要求高效率和低损耗的应用中,例如DC-DC转换器、负载开关以及电池管理电路等。其设计确保了在高频工作条件下的优异性能表现。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压Vds:60V
  最大栅源电压Vgs:±20V
  连续漏极电流Id:38A
  导通电阻Rds(on):1.1mΩ
  栅极电荷Qg:47nC
  开关时间:ton=19ns, toff=25ns
  功耗:140W
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

GJM0335C1E110GB01D的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),从而显著降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关能力,支持高频应用场合,减少磁性元件体积并提升功率密度。
  3. 具备较高的雪崩击穿能力和鲁棒性,能够在异常条件下提供可靠保护。
  4. 小尺寸封装,便于PCB布局设计,并且易于集成到紧凑型产品中。
  5. 热增强封装结构,有助于改善散热性能,延长使用寿命。
  6. 符合RoHS标准,绿色环保,适合多种工业及消费类电子产品使用。

应用

这款MOSFET适用于以下应用场景:
  1. 开关模式电源(SMPS),包括AC-DC适配器和充电器。
  2. 电机控制和驱动电路,如无刷直流电机(BLDC)控制器。
  3. 各种类型的逆变器,涵盖光伏逆变器与不间断电源(UPS)。
  4. 汽车电子设备中的负载切换和保护功能。
  5. 工业自动化领域里的伺服驱动和机器人动力传动系统。
  6. 通信基础设施里的基站功率模块。
  7. 消费类电子产品的快速充电解决方案。

替代型号

GJM0335C1E110GB01D-A, GJM0335C1E110GB01D-B

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GJM0335C1E110GB01D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格15,000 : ¥0.12052卷带(TR)
  • 系列GJM
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容11 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0201(0603 公制)
  • 大小 / 尺寸0.024" 长 x 0.012" 宽(0.60mm x 0.30mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.013"(0.33mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-