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VN9016AJTR 发布时间 时间:2025/6/6 12:21:53 查看 阅读:24

VN9016AJTR 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 SO-8 封装。该器件适用于需要高效率和低导通电阻的应用场景,例如开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等。VN9016AJTR 的设计使其能够在高频条件下提供出色的性能表现,并具备良好的热稳定性和电气特性。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:16A
  导通电阻(典型值):10mΩ
  总栅极电荷:40nC
  输入电容:1350pF
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

VN9016AJTR 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低功耗并提高整体系统效率。
  2. 高额定电流能力,能够支持大功率应用。
  3. 快速开关速度,适合高频操作环境。
  4. 优秀的热稳定性,确保在极端温度条件下依然保持可靠的性能。
  5. 小巧的 SO-8 封装,节省 PCB 空间,便于布局设计。
  6. 提供了较高的栅极耐压能力,有效避免因过压而导致的损坏。
  这些特点使得 VN9016AJTR 成为高性能电力电子设备的理想选择。

应用

VN9016AJTR 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS),包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动电路,用于控制小型直流或无刷电机。
  3. 各类负载开关和保护电路。
  4. 电池管理系统 (BMS),用于充放电控制。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 消费类电子产品中需要高效功率管理的部分。
  其灵活性和可靠性让这款 MOSFET 在众多应用场景中表现出色。

替代型号

VN9016LSTR, IRFZ44N, FDP18N06L

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