时间：2025/5/23 18:05:42
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RE1L002SNTL 是一款由 ROHM 生产的 N 沟道逻辑 级 MOSFET，广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备等领域。其主要特点是低导通电阻、高开关速度以及出色的性能稳定性，适用于负载开关、同步整流器以及其他功率管理场景。
该型号采用了超小型 SNT-6 (SC-74A) 封装形式，适合需要高密度集成的应用设计。
型号：RE1L002SNTL
类型：N沟道 MOSFET
VDS（漏源电压）：30V
RDS(on)（导通电阻）：8.5mΩ
IDS（连续漏极电流）：1.9A
VGS(th)（阈值电压）：1.2V
封装：SNT-6 (SC-74A)
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
RE1L002SNTL 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，仅为 8.5mΩ，从而降低了功率损耗并提升了效率。
2. 超小型封装 SNT-6 (SC-74A)，非常适合空间受限的设计。
3. 阈值电压 VGS(th) 较低，为 1.2V，能够与低压逻辑电路兼容。
4. 工作温度范围宽广，从 -55℃ 到 +150℃，适用于多种环境条件下的应用。
5. 快速开关能力，可以显著减少开关损耗，提升整体系统性能。
RE1L002SNTL 广泛应用于各种领域中的功率管理场景，例如：
1. 移动设备中的负载开关，用于实现快速高效的电源切换。
2. 同步整流器，在 DC/DC 转换器中提高转换效率。
3. 电池供电设备中的保护电路，确保电池安全运行。
4. 工业自动化设备中的信号隔离和驱动电路。
5. 通信设备中的电源管理和信号处理模块。
RE1J002SNKL, RE1K002SNTL
