时间：2025/8/24 14:22:36
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RUR15120是一款由Renesas（瑞萨）公司推出的高性能MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，主要用于高效率电源转换系统。该器件基于先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度，适用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理系统等应用。RUR15120采用紧凑的表面贴装封装，适合现代电子产品对空间和散热性能的高要求。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：15A
最大漏-源电压（VDS）：120V
导通电阻（Rds(on)）：最大22mΩ（@VGS=10V）
栅极电荷（Qg）：典型值为23nC
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-252（DPAK）
RUR15120具备多项优越性能，首先其低导通电阻显著降低了导通损耗，从而提高了整体系统的能效。在高电流负载条件下，这种特性尤为重要，可以有效减少发热并提高系统的可靠性。
其次，该MOSFET的高开关速度使其适用于高频开关电源设计，减少了开关损耗并提高了系统的响应能力。此外，RUR15120的栅极电荷较低，有助于进一步优化开关性能，降低驱动电路的负担。
该器件还具有良好的热稳定性，其封装设计能够有效地将热量传导到PCB上，从而避免局部过热。RUR15120的宽工作温度范围确保了其在极端环境条件下仍能稳定工作，适用于汽车电子、工业控制等对环境适应性要求较高的应用。
最后，RUR15120的TO-252封装形式便于表面贴装工艺，提高了生产效率，并且兼容自动化装配流程。
RUR15120广泛应用于各种需要高效率和高性能功率开关的场合。例如，在电源管理领域，它被用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关电路；在电机控制方面，RUR15120可用于驱动小型电机或作为H桥电路中的功率开关元件；此外，它还适用于工业自动化设备、服务器电源、电信设备以及汽车电子系统等对能效和可靠性有较高要求的应用场景。
RUR15120的替代型号包括SiHH15120、FDMS86181、IRF15120
