时间：2025/6/18 12:26:39
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NVGS3136PT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽式结构，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于各种开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用。
该 MOSFET 的封装形式为 LFPAK88（Power-SO8），具有出色的散热性能和较低的寄生电感，非常适合高频开关应用。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：36A
导通电阻（典型值）：1.3mΩ
栅极电荷（典型值）：75nC
输入电容（典型值）：2090pF
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
NVGS3136PT1G 具有非常低的导通电阻（Rds(on)），能够在高电流条件下实现更高的效率。此外，其快速开关特性和低栅极电荷使得它在高频应用中表现优异。
由于采用了 LFPAK88 封装，该性能，适合表面贴装技术（SMT）生产环境。
该器件通过 AEC-Q101 认证，确保其在严苛环境下的可靠性。此外，它还具备 ESD 防护功能，能够提高系统的抗干扰能力。
NVGS3136PT1G 广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子领域。具体包括但不限于以下应用：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动
4. 负载开关
5. 电池保护
6. 汽车电子中的负载切换和逆变器应用
由于其高电流能力和低导通电阻，该器件特别适合需要高效能和高可靠性的场景。
NTMFS4C313NL, IRF7738TRPBF
