RDR005N25 时间：2025/12/25 11:32:13 阅读：10

RDR005N25是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的N沟道功率MOSFET，专为高效率、高密度电源转换应用设计。该器件采用先进的沟槽式场效应晶体管技术制造，具备低导通电阻（RDS(on)）、优异的开关性能以及良好的热稳定性，适用于多种电源管理场景。其额定电压为25V，最大连续漏极电流可达50A，适合在低电压大电流输出的同步整流、DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等应用中使用。RDR005N25封装形式通常为PowerPAK? SO-8L或类似的紧凑型表面贴装封装，有助于减少PCB占用空间并提升功率密度。该MOSFET支持高频率工作，能够有效降低系统中的传导损耗和开关损耗，从而提高整体能效。此外，器件内部结构优化了栅极电荷与输出电容的乘积（Qg x Coss），进一步增强了高频下的动态性能表现。由于其出色的电气特性与可靠性，RDR005N25广泛应用于通信设备、服务器电源、笔记本电脑适配器、便携式电子产品及电池管理系统等领域。

参数

型号：RDR005N25
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：25 V
　　栅源电压(VGS)：±12 V
　　连续漏极电流(ID)：50 A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：200 A
　　导通电阻(RDS(on))：5 mΩ @ VGS = 10 V, ID = 25 A
　　导通电阻(RDS(on))：6.5 mΩ @ VGS = 4.5 V, ID = 25 A
　　阈值电压(Vth)：1.0 V ~ 1.8 V
　　输入电容(Ciss)：2300 pF @ VDS = 12.5 V
　　反向恢复时间(trr)：15 ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8L

特性

RDR005N25采用瑞萨先进的沟槽式MOSFET工艺，实现了极低的导通电阻与优异的开关特性之间的平衡。其典型RDS(on)仅为5mΩ（在VGS=10V条件下），显著降低了在大电流应用中的导通损耗，提高了电源系统的整体效率。器件的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为17nC（@VGS=10V），这有助于减少驱动电路的功耗，并支持更高的开关频率操作，适用于现代高频DC-DC变换器设计。
　　该MOSFET具有良好的热稳定性和抗雪崩能力，能够在高温环境下可靠运行。其结温最高可达150°C，并配备有低热阻的封装结构，便于热量从芯片传递到PCB，从而延长器件寿命并提升系统可靠性。此外，RDR005N25的输出电容（Coss）较小，且栅漏电荷（Qgd）控制得当，有效抑制了米勒效应引起的误触发问题，在硬开关和同步整流拓扑中表现出色。
　　器件还具备优良的抗瞬态过载能力，可承受高达200A的脉冲漏极电流，适用于启动或短时重载工况。其阈值电压范围合理（1.0V~1.8V），确保在逻辑电平信号驱动下也能实现充分导通，兼容多种控制器IC输出。同时，RDR005N25符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。综合来看，这款MOSFET是高性能、高集成度电源系统中的理想选择。

应用

RDR005N25广泛应用于需要高效能、低损耗功率开关的场合。常见于同步整流型降压（Buck）转换器中作为下管或上管使用，尤其适用于多相VRM（电压调节模块）设计，服务于CPU、GPU等高性能处理器的供电需求。其低RDS(on)和高电流承载能力使其成为服务器主板、高端台式机和笔记本电脑电源管理单元的理想元件。
　　在DC-DC电源模块中，该器件可用于隔离与非隔离拓扑的次级侧同步整流，替代传统肖特基二极管以提升转换效率。此外，它也适用于电池供电系统中的负载开关或热插拔控制电路，提供快速响应和低静态功耗特性。在电机驱动应用中，RDR005N25可用于H桥或半桥结构中的低端开关，实现精确的电流控制与能耗优化。
　　由于其小型化封装和高功率密度特点，该MOSFET特别适合空间受限的便携式设备，如移动电源、平板电脑和无人机电源系统。同时，在电信设备和网络基础设施中，用于POL（Point-of-Load）电源转换方案，支持高速数据处理单元的稳定供电。总体而言，RDR005N25凭借其卓越的电气性能和可靠性，已成为现代电子系统中不可或缺的关键功率器件之一。