时间：2025/12/29 13:49:04
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HFS3N80是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制及功率放大器等高功率电子设备中。这款MOSFET具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，适用于需要高效率和高性能的功率管理场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：800V
最大栅源电压(Vgs)：±30V
最大连续漏极电流(Id)：3A（在25℃时）
导通电阻(Rds(on))：典型值为2.5Ω
工作温度范围：-55℃～+150℃
封装形式：TO-220
最大功率耗散(Pd)：50W
HFS3N80的核心特性之一是其高耐压能力，最大漏源电压可达800V，使其适用于高电压开关应用。该器件的低导通电阻（Rds(on)）有助于减少导通损耗，提高电源转换效率。此外，HFS3N80具备良好的热稳定性，能够在较高温度环境下稳定工作，提升了系统的可靠性和耐用性。该MOSFET采用TO-220封装，散热性能良好，便于安装和维护。HFS3N80还具有较快的开关速度，适合高频开关应用，有助于减小电源系统的体积并提高响应速度。整体而言，这款MOSFET在高压、高效率和高可靠性要求的应用中表现出色，是许多工业和消费类电子设备中的理想选择。
HFS3N80常用于各种电源管理系统中，例如开关电源（SMPS）、LED驱动器、逆变器、充电器、DC-DC转换器以及电机控制电路。它也适用于高电压信号处理和功率放大器设计。由于其高耐压和低导通电阻特性，HFS3N80在需要高效能功率转换的工业自动化设备、通信设备和家用电器中得到了广泛应用。
FQP3N80, STP3NA80K5, IRF840
