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GA1210H183KXAAR31G 发布时间 时间:2025/5/26 22:36:45 查看 阅读:15

GA1210H183KXAAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等应用领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够有效提高系统的效率和可靠性。
  此型号属于 N 沟道增强型 MOSFET,其设计优化了栅极驱动特性,从而降低了开关损耗,并且具备强大的浪涌电流能力,适合在高频率和高功率密度的应用场景中使用。

参数

最大漏源电压:120V
  连续漏极电流:45A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:75nC
  总电容:1200pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247-3

特性

GA1210H183KXAAR31G 具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著降低传导损耗,提升整体效率。
  2. 高速开关性能,支持高频操作,有助于减少磁性元件尺寸和系统体积。
  3. 出色的热稳定性,确保在极端条件下仍能保持良好的性能。
  4. 强大的短时间脉冲电流承受能力,增强了器件的耐用性和抗冲击能力。
  5. 符合 RoHS 标准,绿色环保,满足现代工业对环保的要求。

应用

该芯片广泛应用于多种电力电子设备中,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 电机驱动控制器
  4. 太阳能逆变器
  5. 电动汽车充电模块
  6. 工业自动化设备中的功率控制单元
  由于其高效的特性和高可靠性,它特别适用于需要高功率密度和快速响应的应用环境。

替代型号

IRFP260N
  FDP15N120
  IXFN140N12T
  STP140N12F

GA1210H183KXAAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.018 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-