GA1210H183KXAAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等应用领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够有效提高系统的效率和可靠性。
此型号属于 N 沟道增强型 MOSFET,其设计优化了栅极驱动特性,从而降低了开关损耗,并且具备强大的浪涌电流能力,适合在高频率和高功率密度的应用场景中使用。
最大漏源电压:120V
连续漏极电流:45A
导通电阻:1.8mΩ
栅极电荷:75nC
总电容:1200pF
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247-3
GA1210H183KXAAR31G 具备以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著降低传导损耗,提升整体效率。
2. 高速开关性能,支持高频操作,有助于减少磁性元件尺寸和系统体积。
3. 出色的热稳定性,确保在极端条件下仍能保持良好的性能。
4. 强大的短时间脉冲电流承受能力,增强了器件的耐用性和抗冲击能力。
5. 符合 RoHS 标准,绿色环保,满足现代工业对环保的要求。
该芯片广泛应用于多种电力电子设备中,包括但不限于:
1. 开关模式电源(SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动控制器
4. 太阳能逆变器
5. 电动汽车充电模块
6. 工业自动化设备中的功率控制单元
由于其高效的特性和高可靠性,它特别适用于需要高功率密度和快速响应的应用环境。
IRFP260N
FDP15N120
IXFN140N12T
STP140N12F