时间：2025/5/8 18:08:34
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CBM321611U600T 是一款基于硅技术的高压 MOSFET 芯片，广泛应用于功率转换和电机驱动领域。该器件具有高耐压、低导通电阻以及快速开关速度的特点，适用于工业控制、消费电子及汽车电子等领域的多种应用场景。
型号：CBM321611U600T
类型：N-Channel MOSFET
漏源极电压(Vds)：600V
连续漏极电流(Id)：16A
导通电阻(Rds(on))：11mΩ
栅极电荷(Qg)：85nC
工作温度范围(Top)：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
CBM321611U600T 具备以下主要特性：
1. 高击穿电压（600V），使其适合于高电压应用环境。
2. 极低的导通电阻（11mΩ），可显著降低功率损耗并提升效率。
3. 快速开关性能，支持高频操作，减少磁性元件尺寸。
4. 强大的雪崩能量能力，提供更高的系统可靠性。
5. 内置静电保护功能，增强抗干扰能力。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
这些特点使 CBM321611U600T 成为需要高效率和高可靠性的电力电子系统的理想选择。
CBM321611U600T 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换级。
2. 电机驱动器，如变频空调、冰箱压缩机和电动车窗控制系统。
3. 太阳能逆变器中用于 DC/DC 和 DC/AC 转换。
4. 工业自动化设备中的电磁阀和继电器控制。
5. 电动汽车和混合动力汽车的动力总成系统。
由于其高电压和大电流处理能力，这款 MOSFET 在各种功率管理场合表现优异。
CM321611U600T, IRFP460, STP16NF60
