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2STN2360 发布时间 时间:2025/7/19 3:15:10 查看 阅读:9

2STN2360是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率开关和电源管理应用。这款器件由STMicroelectronics生产,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性,适合用于DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统以及各种电源管理电路中。该器件采用TO-220或D2PAK等封装形式,便于散热和安装。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流:4.5A
  最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  导通电阻(Rds(on)):150mΩ(典型值)
  栅极电荷:23nC
  功率耗散:62.5W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-220 / D2PAK

特性

2STN2360 MOSFET具备多个关键特性,使其在多种电源应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))确保在高电流下仍能保持较低的功率损耗,提高系统效率。其次,该器件的高漏源电压(60V)使其适用于多种中高功率应用,例如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和负载开关。此外,2STN2360具有良好的热稳定性,能够承受较高的工作温度,提高了器件在严苛环境下的可靠性。
  其栅极电荷较低(23nC),意味着该MOSFET可以在高频开关应用中保持良好的性能,减少开关损耗,适用于高频率PWM控制电路。2STN2360还具备快速的开关速度,有助于提高系统的动态响应,适用于电机控制、电池充放电管理和LED照明驱动等应用。
  该器件的封装形式包括TO-220和D2PAK,这两种封装都具有良好的散热性能,同时便于安装在标准的PCB板上。TO-220封装适用于通孔安装,而D2PAK则适合表面贴装技术(SMT),提高了设计的灵活性。此外,2STN2360符合RoHS环保标准,不含铅和有害物质,适用于现代环保电子产品的设计。

应用

2STN2360广泛应用于多种电力电子系统中,特别是在需要高效率和可靠性的场景下。它常用于开关电源(SMPS)中的主开关器件,适用于AC-DC和DC-DC转换器拓扑结构,如降压(Buck)、升压(Boost)和反相(Flyback)变换器。在电机控制系统中,该MOSFET可用于H桥结构的低端或高端开关,实现直流电机或步进电机的速度和方向控制。
  该器件也适用于电池管理系统(BMS),如便携式设备中的充放电保护电路、电动工具、电动自行车和储能系统。此外,2STN2360还可用于LED照明驱动器,特别是在需要恒流控制和调光功能的高亮度LED系统中。
  在工业自动化和控制系统中,2STN2360可用于固态继电器、PLC输出模块以及各种负载开关电路。其高耐压和低导通电阻特性也使其成为电源管理模块、不间断电源(UPS)以及太阳能逆变器中的理想选择。

替代型号

STP4NK60Z, IRFZ44N, FDPF4N60

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2STN2360参数

  • 其它有关文件2STN2360 View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)3A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)60V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 150mA,3A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)160 @ 1A,2V
  • 功率 - 最大1.6W
  • 频率 - 转换130MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称497-6005-6