时间：2025/5/10 13:45:49
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IPD90N10S4L-06是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Infineon Technologies生产。这款器件采用了TRENCHSTOP?技术，优化了开关性能和导通电阻，适合高效率、高频应用。其额定电压为100V，典型应用包括开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及工业控制等场景。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：90A
导通电阻：2.8mΩ
栅极电荷：70nC
输入电容：3520pF
最大工作结温：175°C
封装类型：TO-247-3
IPD90N10S4L-06具备低导通电阻，从而降低了传导损耗并提升了整体系统效率。同时，该器件具有较低的栅极电荷和输出电荷，确保在高频操作下的优异表现。
此外，其坚固的雪崩能力使其能够承受过载条件下的能量冲击，提高了可靠性。该产品还支持快速开关速度，减少了开关损耗，特别适合需要高效功率转换的应用。
它采用标准TO-247-3封装，便于安装和散热管理。结合高电流处理能力和高压耐受性，使得该器件非常适合于工业和汽车领域中的高性能需求场景。
该芯片广泛应用于各类电力电子设备中，如不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电动车辆牵引逆变器、焊接设备及各种类型的电机驱动器。由于其出色的热性能和电气特性，也常用于电信基础设施中的功率调节模块和数据中心的供电单元。此外，在消费类电子产品方面，也可以看到它被用于高端音频放大器和游戏电脑的电源供应部分。
IPW90R120C6, IRFP2907Z
