时间：2025/5/20 15:51:04
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SI4567DY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用了 TrenchFET? 第三代技术，具有极低的导通电阻和出色的开关性能，适用于高效率功率转换应用。其小型化的封装设计使其非常适合空间受限的应用场景。
该器件通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及便携式电子设备中的电源管理模块。通过优化的芯片设计和先进的封装工艺，SI4567DY-T1-E3 在高频开关条件下表现出优异的热特性和电气性能。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：28A
导通电阻（典型值）：1.3mΩ
栅极电荷（典型值）：39nC
输入电容：1380pF
总热阻（结到环境）：45°C/W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：PowerPAK? 1212-8
SI4567DY-T1-E3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在降低功耗方面表现优异。
2. 高电流处理能力，支持高达 28A 的连续漏极电流。
3. 出色的开关性能，适合高频开关应用。
4. 小型化封装设计，有助于节省 PCB 空间。
5. 宽工作温度范围，能够适应各种恶劣环境条件。
6. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
7. 内部集成 ESD 保护电路，提高器件可靠性。
SI4567DY-T1-E3 广泛应用于以下领域：
1. DC-DC 转换器和 POL（负载点）转换器。
2. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
3. 电池管理系统中的负载开关。
4. 消费类电子产品中的电机驱动和电源管理。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 通信设备中的高效功率转换解决方案。
7. LED 照明驱动和汽车电子系统中的功率管理应用。
SI4406DY, SI4408DY, IRF7846TRPBF
