类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：16A（在Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：64A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大16mΩ（在Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

RDMBC16R1T MOSFET 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流工作条件下能够显著降低导通损耗，从而提高整体系统效率。该器件采用 ROHM 独有的沟槽式结构技术，优化了电场分布，提高了器件的击穿电压稳定性。此外，RDMBC16R1T 还具有较高的热稳定性和较强的过流、过温耐受能力，使其在高温环境下也能保持良好的性能。
　　另一个显著特点是其封装设计为 TO-252（也称为 DPAK），这是一种表面贴装型封装，便于自动化生产和焊接，同时具有良好的散热性能。该封装也有助于减小 PCB 占用空间，适用于紧凑型电源设计。此外，RDMBC16R1T 的栅极驱动电压范围较宽（最高可达 20V），使其能够与多种类型的驱动电路兼容，包括常见的 PWM 控制器和微处理器输出。
　　该 MOSFET 还具备快速开关特性，具有较短的上升和下降时间，有助于降低开关损耗，提升高频工作的稳定性。ROHM 在制造过程中采用了符合 RoHS 标准的材料，确保产品环保且符合国际法规要求。

RDMBC16R1T 主要应用于各类电源系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、负载开关控制、电机驱动器和功率放大器等。其高耐压和大电流能力使其特别适合用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统和电动助力转向系统。此外，该器件也可用于工业自动化设备中的功率控制模块，以及太阳能逆变器和储能系统中的高效率能量转换电路。

RDMBC16R1T 可以被 IRFZ44N、FDP3632、SiHH16N60CFD、RDA16R1T 等型号替代，具体选择应根据应用需求、封装兼容性以及导通电阻等参数进行评估。