类型：射频功率晶体管
　　晶体管类型：LDMOSFET
　　频率范围：UHF波段（典型工作频率在860-960MHz）
　　输出功率：260W（典型值）
　　漏极电压（VDS）：65V
　　工作电流（ID）：1.5A（典型值）
　　增益：22dB（典型值）
　　效率：超过60%
　　封装类型：双列直插式（DIP）
　　散热方式：金属底座散热
　　工作温度范围：-65°C至+150°C

51W4265CLTT6 是一款高性能的射频功率晶体管，采用了LDMOS技术，具备高功率输出、高增益和高效率的特点。该器件能够在高频条件下保持稳定工作，特别适用于UHF波段的通信和广播设备。LDMOS技术不仅提供了良好的线性度，还降低了失真，使得该晶体管在多载波通信系统中表现出色。此外，51W4265CLTT6具有优异的热管理和耐久性，其金属底座封装设计有助于快速散热，确保在高功率运行下的稳定性与可靠性。
　　这款晶体管还具有良好的输入/输出匹配特性，简化了外围电路的设计，并减少了对额外匹配元件的需求。其宽工作温度范围使其适用于各种严苛环境下的应用，包括工业和医疗设备中的高功率射频源。51W4265CLTT6 还具有较高的抗过载能力，能够在突发高功率负载下保持稳定运行。

51W4265CLTT6 广泛应用于各种高功率射频系统中，包括UHF频段的无线通信基站、数字电视广播发射机、工业加热设备以及医疗射频治疗设备等。由于其高效率和高可靠性，该晶体管也常用于需要大功率输出的专业通信设备和测试仪器。此外，它还可用于雷达系统、高功率放大器模块以及工业激光设备中的射频激励源。

BLF574（NXP）、MRFE6VP61K25H（NXP）、AFT05HP1204（Broadcom）、LDMOSFET晶体管MRF6V2150N（NXP）