时间：2025/5/30 19:19:38
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FS21X475K160EIG 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的高压功率 MOSFET。该器件采用 N 沟道增强型技术，主要应用于需要高效开关和高电压承受能力的场景。其设计优化了导通电阻与开关性能之间的平衡，适用于多种工业和消费类电子产品中的电源管理解决方案。
这款芯片具有出色的漏源击穿电压、低导通电阻以及快速开关特性，能够满足高效率和高可靠性的应用需求。
型号：FS21X475K160EIG
类型：N 沟道 MOSFET
漏源击穿电压 (Vds)：750 V
连续漏极电流 (Id)：16 A
导通电阻 (Rds(on))：0.3 Ω
栅极电荷 (Qg)：75 nC
功耗 (Pd)：250 W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247
FS21X475K160EIG 的主要特性包括以下几点：
1. 高耐压能力：其 750V 的漏源击穿电压使其适合用于高压环境下的开关电路。
2. 低导通电阻：0.3Ω 的 Rds(on) 能够有效减少导通损耗，提高整体效率。
3. 快速开关性能：通过优化的内部结构设计，具备较低的栅极电荷，从而实现更快的开关速度。
4. 热稳定性强：能够在 -55°C 到 +150°C 的宽温范围内稳定工作，适应各种极端环境。
5. 大电流承载能力：连续漏极电流高达 16A，确保在高负载条件下依然表现优异。
6. 可靠性高：经过严格的测试和验证，符合工业级应用标准。
FS21X475K160EIG 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)：
包括 AC-DC 和 DC-DC电力传输和转换功能。
2. 电机驱动：
用于控制和调节各类电机的速度及方向，如家用电器中的风扇、泵等。
3. 逆变器：
在太阳能发电系统中作为核心元件之一，将直流电转化为交流电。
4. 工业自动化设备：
如 PLC 控制器、伺服驱动器等，用于实现精确的电气控制。
5. 电动车充电站：
提供大功率输出的同时保持高效率和可靠性。
FDP18N75C,
IRFP260N,
STW92N75DM2,
IXTH16N75P2
