FS21X475K160EIG 是一款由 Fairchild(现为 ON Semiconductor)生产的高压功率 MOSFET。该器件采用 N 沟道增强型技术,主要应用于需要高效开关和高电压承受能力的场景。其设计优化了导通电阻与开关性能之间的平衡,适用于多种工业和消费类电子产品中的电源管理解决方案。
这款芯片具有出色的漏源击穿电压、低导通电阻以及快速开关特性,能够满足高效率和高可靠性的应用需求。
型号:FS21X475K160EIG
类型:N 沟道 MOSFET
漏源击穿电压 (Vds):750 V
连续漏极电流 (Id):16 A
导通电阻 (Rds(on)):0.3 Ω
栅极电荷 (Qg):75 nC
功耗 (Pd):250 W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-247
FS21X475K160EIG 的主要特性包括以下几点:
1. 高耐压能力:其 750V 的漏源击穿电压使其适合用于高压环境下的开关电路。
2. 低导通电阻:0.3Ω 的 Rds(on) 能够有效减少导通损耗,提高整体效率。
3. 快速开关性能:通过优化的内部结构设计,具备较低的栅极电荷,从而实现更快的开关速度。
4. 热稳定性强:能够在 -55°C 到 +150°C 的宽温范围内稳定工作,适应各种极端环境。
5. 大电流承载能力:连续漏极电流高达 16A,确保在高负载条件下依然表现优异。
6. 可靠性高:经过严格的测试和验证,符合工业级应用标准。
FS21X475K160EIG 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS):
包括 AC-DC 和 DC-DC电力传输和转换功能。
2. 电机驱动:
用于控制和调节各类电机的速度及方向,如家用电器中的风扇、泵等。
3. 逆变器:
在太阳能发电系统中作为核心元件之一,将直流电转化为交流电。
4. 工业自动化设备:
如 PLC 控制器、伺服驱动器等,用于实现精确的电气控制。
5. 电动车充电站:
提供大功率输出的同时保持高效率和可靠性。
FDP18N75C,
IRFP260N,
STW92N75DM2,
IXTH16N75P2