类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大连续漏极电流（Id）：8.0A
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V~4V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.85Ω @ Vgs=10V
　　最大功耗（Pd）：250W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

SB840-E 功率 MOSFET 采用了先进的沟槽式结构，提供了较低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了能效。该器件具备较高的击穿电压（500V），能够适应多种高压应用场景，例如开关电源和电机驱动电路。
　　此外，SB840-E 的封装形式为 TO-263（D2PAK），这种表面贴装封装具有良好的散热性能，适合在高功率密度设计中使用。其栅极阈值电压范围为 2V~4V，兼容多种驱动电路，包括常见的 5V 和 10V 栅极驱动器。
　　在开关性能方面，SB840-E 具有较快的上升和下降时间，有助于降低开关损耗，并在高频应用中保持稳定的工作状态。器件内部的体二极管也具备一定的反向恢复能力，适用于一些需要续流保护的电路拓扑结构，例如 DC-DC 升压或降压转换器。
　　由于其优异的电气性能和封装优势，SB840-E 被广泛用于工业电源、电信设备、消费类电子产品以及汽车电子系统中，尤其适合需要高可靠性和高效率的场合。

SB840-E 主要应用于各类电源管理系统中，包括但不限于 AC-DC 开关电源、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统以及 UPS（不间断电源）等。其高耐压特性和良好的导通性能使其在工业自动化控制设备、智能家电和照明系统中也具有广泛的应用前景。
　　在 DC-DC 转换器中，SB840-E 可作为主开关元件，负责能量的高频切换，提高电源转换效率。在负载开关电路中，它可以用于控制大电流负载的通断，如风扇、LED 灯组或加热元件。此外，由于其 TO-263 封装便于安装和散热管理，因此在紧凑型电源模块设计中也十分常见。

STP8NK50Z, IRF840, FQA8N50C