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RD3G03BATTL1 发布时间 时间:2025/6/16 22:20:05 查看 阅读:3

RD3G03BATTL1 是一款专为电池管理系统 (BMS) 设计的高精度电流检测芯片,用于监控和保护锂电池组的安全运行。该芯片能够提供实时电流检测、电压测量以及温度监控功能,适用于电动汽车、储能系统及便携式电子设备中的电池管理。

参数

型号:RD3G03BATTL1
  工作电压范围:2.5V 至 5.5V
  最大输入电流:±5A(通过外部检测电阻)
  温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装形式:QFN-24
  输出分辨率:16位
  功耗:典型值为2mW
  通信接口:I2C/SPI可选
  检测精度:±0.5%

特性

RD3G03BATTL1 芯片具有高精度的电流检测能力,内置的 ADC 可以实现高达 16 位的分辨率,确保对电流和电压信号的精确测量。
  该芯片还支持多种保护功能,包括过流保护、短路保护和过温报警等,从而提升电池系统的安全性。
  其低功耗设计使得在待机模式下也能保持较低的电能消耗,非常适合对功耗敏感的应用场景。
  此外,RD3G03BATTL1 提供灵活的 I2C 和 SPI 接口选择,便于与主控 MCU 进行高效的数据交互,并且支持多节电池的串联监测,适合复杂电池组配置。

应用

RD3G03BATTL1 广泛应用于需要高精度电流检测和电池保护的领域,如电动汽车的动力电池管理系统、家庭或工业用储能系统、无人机电池管理、笔记本电脑电池保护电路以及各类便携式医疗设备的电源监控等。
  其多功能性和高可靠性使其成为现代电池管理系统设计的理想选择。

替代型号

RD3G02BATTL1, RD3G04BATTL1

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RD3G03BATTL1参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥11.92000剪切带(CT)2,500 : ¥5.06021卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)35A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)19.1 毫欧 @ 35A, 10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)38 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2100 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)56W(Ta)
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63