型号：HBST10080HC.C2
　　类型：NPN Bipolar Junction Transistor
　　封装：SOT-23
　　极性：NPN
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：100V
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：100V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：7V
　　最大集电极电流（IC）：800mA
　　最大总耗散功率（Ptot）：300mW
　　直流电流增益（hFE）：100 - 400（测试条件IC = 150mA, VCE = 5V）
　　特征频率（fT）：150MHz
　　集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：≤0.3V @ IC = 500mA, IB = 50mA
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

HBST10080HC.C2具备优异的高频响应能力和稳定的直流放大特性，使其在模拟信号放大与数字开关电路中均表现卓越。其高特征频率（fT达150MHz）确保了在高频应用场景下仍能保持良好的增益性能，适用于射频前端、高速逻辑驱动等对响应速度要求较高的场合。器件的直流电流增益范围宽（100至400），并经过严格分档筛选，保证批次一致性，提升了电路设计的可靠性与可预测性。该晶体管具有较低的饱和压降，在开关状态下能够有效降低导通损耗，提高系统效率，尤其适用于电池供电设备或对能效敏感的应用。其SOT-23封装具有良好的热传导性能和机械强度，配合优化的芯片布局，可在有限空间内实现高效散热。HBST10080HC.C2还具备较强的抗静电能力（ESD保护性能良好），减少了因静电放电导致的器件损坏风险，提高了生产线良率和终端产品使用寿命。此外，该器件在高温环境下仍能维持稳定的电气参数，结温可达+150°C，满足工业级和汽车电子对高温工作的需求。其材料与制造工艺符合国际环保标准，支持无铅回流焊工艺，适应现代电子制造流程。
　　值得一提的是，HBST10080HC.C2在低电流驱动条件下也能实现快速开启与关断，开关时间（ton/toff）表现优异，典型值分别为25ns和50ns左右，适用于脉冲宽度调制（PWM）控制、开关电源驱动等需要高频切换的应用。器件的输入阻抗适中，输出阻抗较低，易于与前级驱动电路及后级负载匹配，简化了外围电路设计。同时，由于其参数高度一致性和长期稳定性，工程师在进行批量产品设计时无需频繁调整偏置电路，降低了调试成本和生产复杂度。总体而言，HBST10080HC.C2凭借其高性能、小尺寸、高可靠性与环保特性，已成为众多中功率晶体管应用中的优选方案之一。

HBST10080HC.C2广泛应用于各类中等功率电子系统中，尤其适用于需要高频响应和稳定增益的模拟与数字混合电路。在电源管理领域，常用于DC-DC升压或降压转换器中的开关元件，驱动MOSFET栅极或直接作为主开关管使用，提升转换效率。在工业控制设备中，该晶体管可用于PLC模块中的信号隔离与放大、继电器或电磁阀驱动电路，实现微控制器与高功率负载之间的接口匹配。在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、智能家电等，HBST10080HC.C2被用于LED背光驱动、音频前置放大、传感器信号调理等模块，发挥其低噪声、高线性度的优势。此外，在汽车电子系统中，该器件可用于车身控制单元（BCM）、车灯控制、雨刷电机驱动等非动力系统应用，满足AEC-Q101基本可靠性要求（若通过认证）。在通信设备中，HBST10080HC.C2可作为小信号放大器，用于无线模块的射频前端或有线接口的信号增强。其紧凑的SOT-23封装也使其非常适合便携式设备和高密度PCB布局，减少空间占用的同时保持良好的电气性能。由于其宽工作温度范围和高耐压特性，该器件同样适用于户外设备、安防监控、智能仪表等恶劣环境下的电子控制系统。

MMBT3904
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