SD1100C25L 时间：2025/12/26 20:46:41 阅读：23

SD1100C25L是一款由芯导科技（Prisemi）推出的高性能、低功耗同步整流N沟道MOSFET，专为开关电源（SMPS）中的同步整流应用设计。该器件采用先进的沟槽型MOSFET工艺制造，具有极低的导通电阻（RDS(on)）和优异的开关特性，能够显著提高电源转换效率，减少发热，适用于高密度、高效率的电源系统。SD1100C25L的封装形式为DFN3x3-8L，具备良好的热性能和紧凑的占位面积，非常适合空间受限的应用场景，如适配器、充电器、LED驱动电源以及各类消费类电子产品中的DC-DC转换电路。该器件在设计上优化了栅极电荷与输出电容的乘积（Qg×Coss），实现了快速响应和低开关损耗，同时具备良好的抗雪崩能力和可靠性，能够在恶劣工作条件下稳定运行。

参数

型号：SD1100C25L
　　品牌：Prisemi（芯导科技）
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大连续漏极电流（ID）：12A（@TC=25℃）
　　导通电阻（RDS(on)）：25mΩ（@VGS=10V）；30mΩ（@VGS=4.5V）
　　栅极阈值电压（Vth）：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容（Ciss）：850pF（@VDS=50V）
　　总栅极电荷（Qg）：15nC（@VGS=10V）
　　反向恢复时间（trr）：典型值35ns
　　封装类型：DFN3x3-8L
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　功率耗散（PD）：3.5W（@TC=25℃）

特性

SD1100C25L的核心优势在于其极低的导通电阻与优化的动态参数组合，使其在高频同步整流应用中表现出色。该器件的RDS(on)仅为25mΩ（在VGS=10V时），有效降低了导通状态下的功率损耗，从而提升整体电源效率。在低VGS（如4.5V）条件下，其RDS(on)仍保持在30mΩ以内，确保在驱动电压较低的控制器环境下也能实现高效整流。该MOSFET采用了先进的沟槽技术，提升了单位面积的载流能力，同时通过优化元胞结构和掺杂分布，降低了寄生电容和栅极电荷（Qg=15nC），减少了开关过程中的能量损耗，特别适合用于工作频率较高的反激式或正激式电源拓扑。
　　该器件的DFN3x3-8L封装不仅体积小巧，节省PCB空间，还具备优良的散热性能，底部带有裸露焊盘，可通过PCB良好接地并实现高效热传导，有助于在高负载条件下维持器件结温在安全范围内。此外，器件具有较高的VDS额定电压（100V），可应对开关电源中可能出现的电压尖峰，增强了系统的鲁棒性。内置的体二极管具有较短的反向恢复时间（trr≈35ns），可减少反向恢复过程中产生的开关噪声和能量损耗，避免对主开关管造成应力冲击，从而提高系统可靠性。
　　SD1100C25L还具备良好的抗静电（ESD）能力和高温工作稳定性，符合工业级和消费类电子产品的可靠性要求。其制造过程遵循严格的品质控制标准，确保批次一致性与长期使用的稳定性。器件通过了RoHS和REACH环保认证，适用于绿色电子产品设计。综合来看，SD1100C25L凭借其低导通损耗、优异的开关性能、紧凑封装和高可靠性，成为现代高效电源系统中同步整流方案的理想选择，尤其适用于追求小型化和高能效的产品设计。

应用

SD1100C25L广泛应用于各类需要高效能量转换的开关电源系统中。典型应用场景包括手机、笔记本电脑、平板等设备的AC-DC适配器和USB PD充电器，在这些应用中作为次级侧同步整流管使用，替代传统的肖特基二极管，可显著提升转换效率，降低温升，并支持更高功率密度的设计。此外，该器件也适用于LED照明驱动电源，特别是在隔离式反激拓扑中，通过降低整流损耗来提高光效并延长灯具寿命。
　　在通信设备、机顶盒、路由器等网络设备的辅助电源模块中，SD1100C25L可用于DC-DC降压或隔离电源的同步整流部分，帮助满足能源之星或CoC Tier 2等能效标准。其高耐压特性也使其适用于工业电源、智能家电和电动工具的电源管理单元。由于其封装小型化且热性能良好，该器件特别适合布局紧凑、散热条件有限的高集成度电子产品。此外，在基于LLC谐振变换器或准谐振反激（QR Flyback）拓扑的高效电源设计中，SD1100C25L的快速开关响应和低Qg特性有助于减少死区时间内的能量损失，进一步优化系统效率。总体而言，该器件适用于所有要求高效率、小体积和高可靠性的中低功率电源整流场合。