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RD30M-T1B 发布时间 时间:2025/7/1 20:47:40 查看 阅读:8

RD30M-T1B是一款高性能的功率MOSFET器件,采用TO-220封装形式。该器件主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效提升系统的效率和稳定性。
  该芯片采用了先进的制造工艺,确保其在高频工作条件下的卓越表现。同时,它具备良好的热性能,可以承受较高的结温,从而提高整体系统的可靠性。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:45nC
  开关速度:100ns
  封装形式:TO-220

特性

RD30M-T1B具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少导通损耗并提升系统效率。
  2. 高速开关能力,适用于高频应用场合。
  3. 优化的栅极电荷设计,降低了驱动功耗。
  4. 良好的热稳定性和散热性能,保证在高负载条件下的可靠运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

RD30M-T1B广泛应用于各种电力电子设备中,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电动工具和家用电器中的电机驱动
  4. 汽车电子系统
  5. 工业自动化控制设备
  6. 充电器和适配器

替代型号

IRFZ44N
  STP30NF06L
  FDP30N06L

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