H5TQ8G63AMR-RDC 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于LPDDR4系列,是一种低功耗双倍数据速率存储器,广泛应用于移动设备和嵌入式系统中。该芯片的容量为8GB,采用高密度封装技术,具备高性能和低功耗的特点,适用于需要大容量内存的高端智能手机、平板电脑和嵌入式设备。
容量:8GB
类型:LPDDR4 SDRAM
封装:FBGA
电压:1.1V
频率:3200Mbps
接口:x32
工作温度:-40°C ~ +85°C
H5TQ8G63AMR-RDC 的核心优势在于其高性能和低功耗特性,非常适合用于移动计算设备。这款LPDDR4芯片采用了先进的制造工艺,能够在较高的数据传输速率下保持较低的能耗。其3200Mbps的数据传输速率确保了系统能够快速地处理大量数据,从而提升设备的整体性能。此外,该芯片的封装形式为FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array),这种封装方式提供了更高的封装密度和更佳的散热性能,有助于在紧凑空间中实现高性能设计。
另一个关键特性是其电压设计为1.1V,相比前一代LPDDR3的1.2V或更高电压,这使得H5TQ8G63AMR-RDC在运行时能够显著降低功耗,延长设备的电池寿命。该芯片还支持多种低功耗模式,例如深度掉电模式和自刷新模式,能够在设备待机或休眠状态下进一步减少能耗。此外,H5TQ8G63AMR-RDC具有较宽的工作温度范围(-40°C至+85°C),适用于各种复杂环境下的电子设备,确保其在极端温度条件下的稳定运行。
H5TQ8G63AMR-RDC 主要应用于高端智能手机、平板电脑、嵌入式系统、工业控制设备以及车载信息娱乐系统等领域。由于其高性能和低功耗的特性,它特别适合用于需要高数据处理能力的移动设备,例如运行大型应用程序、高清视频播放和多任务处理的场景。此外,该芯片也适用于需要长时间运行且对能耗敏感的工业设备和物联网设备。
H5TQ8G63EFR-RDC, H5TQ8G63AMR-PBC, H9HP53AECMMUBA