KDR730V-RTK/P 时间：2025/12/28 14:40:57 阅读：16

KDR730V-RTK/P 是一款由 Kyocera（京瓷）公司生产的高性能射频（RF）晶体管，专为高功率放大器应用设计。该器件基于硅双极型晶体管技术，适用于高频、高功率的通信设备。KDR730V-RTK/P 通常用于工业、科学和医疗（ISM）频段，以及商业无线电设备中，能够提供卓越的线性放大性能和可靠性。

参数

类型：NPN双极型晶体管
　　最大集电极电流：30A
　　最大集电极-发射极电压：65V
　　最大集电极-基极电压：100V
　　最大功耗：250W
　　频率范围：175MHz - 500MHz
　　增益：约12dB（典型值）
　　封装类型：TO-247

特性

KDR730V-RTK/P 具有优异的高功率处理能力，适用于高频段的射频放大任务。其 NPN 结构提供了良好的增益和效率，使得该器件在多种无线通信应用中表现出色。器件的最大集电极电流为30A，能够在高电流条件下稳定运行，同时其250W的最大功耗确保了在高功率输出下的可靠性。
　　此外，该晶体管的工作频率范围覆盖175MHz至500MHz，适用于VHF（甚高频）和UHF（超高频）波段的设备设计。该器件的增益性能约为12dB，为信号放大提供了足够的增益裕度，从而满足多种射频系统的需求。KDR730V-RTK/P 还具备良好的热稳定性和低噪声特性，有助于提升系统的整体性能。
　　封装方面，KDR730V-RTK/P 采用 TO-247 大功率封装形式，便于散热并确保在高功率操作下的稳定性。这种封装也使得该晶体管易于集成到各种射频功率放大器电路中。

应用

KDR730V-RTK/P 常用于射频功率放大器的设计，特别是在工业、科学和医疗（ISM）频段的应用中。它适用于高频无线电发射设备、无线基础设施、广播设备以及测试测量仪器。该晶体管也广泛用于商业和业余无线电设备中的高功率放大模块，确保信号在远距离传输时的稳定性和清晰度。
　　由于其出色的高功率处理能力和频率响应，KDR730V-RTK/P 还可用于各种无线通信系统，如移动通信基站、无线接入点以及射频加热设备。此外，该器件也可应用于高功率音频放大器设计，为音响系统提供高保真度的放大效果。