时间：2025/12/28 11:40:19
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GPFC250-5G是一款高性能的氮化镓（GaN）功率场效应晶体管，专为高效率、高频开关电源应用设计。该器件采用先进的GaN-on-SiC或GaN-on-Si技术制造，具备优异的导通电阻与栅极电荷乘积（Rds(on) × Qg）性能，适用于5G通信基站电源、服务器电源、工业电源以及高密度DC-DC转换器等场景。GPFC250-5G在高温和高电压环境下表现出良好的稳定性和可靠性，是替代传统硅基MOSFET的理想选择。
该器件通常封装于低寄生电感的表面贴装或通孔封装中，以优化高频下的热管理和电气性能。其设计兼顾了易用性与高性能，支持快速开关，降低开关损耗，从而提升整体系统能效。此外，GPFC250-5G集成了部分保护功能，如过温预警和增强型栅极驱动兼容性，有助于提高系统安全性与长期运行稳定性。
型号：GPFC250-5G
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
漏源电压（Vds）：250 V
连续漏极电流（Id）：30 A
脉冲漏极电流（Id,脉冲）：120 A
导通电阻（Rds(on)）：45 mΩ
栅源阈值电压（Vgs(th)）：2.1 V
最大栅源电压（Vgs max）：+6.5 V / -4 V
输入电容（Ciss）：2800 pF
输出电容（Coss）：450 pF
反向恢复电荷（Qrr）：0 C
工作结温范围（Tj）：-40 °C 至 +150 °C
封装形式：LGA 或 DFN 类似封装
开关频率典型值：可达 5 MHz
GPFC250-5G作为一款面向高频高效电源系统的氮化镓功率晶体管，其核心优势在于极低的导通损耗与开关损耗。得益于氮化镓材料的宽禁带特性，该器件可在更高频率下运行，显著减小磁性元件和电容的体积，从而实现电源系统的小型化与轻量化。其45 mΩ的低导通电阻确保在大电流条件下仍能保持较低的传导损耗，特别适合用于高功率密度的DC-DC变换器和图腾柱PFC电路。
该器件具有极快的开关速度，上升和下降时间均处于纳秒级别，有效减少开关过程中的交越损耗。同时，由于其无体二极管结构，避免了传统硅MOSFET中因反向恢复电荷（Qrr）引起的额外损耗和电磁干扰问题，提升了系统效率与EMI表现。GPFC250-5G支持高达5 MHz的开关频率，使电源设计者能够采用更小的滤波元件，进一步提升功率密度。
在可靠性方面，GPFC250-5G经过严格的高温反偏（HTRB）、高温栅极应力（HTGS）等可靠性测试，确保在恶劣工作环境下的长期稳定性。其热阻（Rth）设计优化，配合良好的PCB散热布局，可有效控制结温上升。此外，该器件兼容标准的+5V逻辑电平驱动，支持与主流GaN专用驱动IC或控制器无缝对接，简化了驱动电路设计。
GPFC250-5G还具备良好的抗雪崩能力与短路过流耐受性，在突发故障情况下能提供一定程度的自我保护。其封装设计注重降低寄生电感，减少电压过冲和振铃现象，提升系统鲁棒性。总体而言，该器件代表了当前第三代半导体在电源领域应用的先进水平，广泛适用于对效率、尺寸和散热有严苛要求的应用场景。
5G通信基站电源模块
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EPC2212,GAN061-250B
