时间：2025/9/2 18:31:31
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JX2N5528是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于电源管理和开关应用。该器件采用先进的平面技术制造，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。其封装形式通常为TO-220或TO-252（DPAK），适用于多种工业和消费类电子产品。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电压（VDSS）：200V
最大栅极电压（VGSS）：±30V
最大漏极电流（ID）：连续：5A，脉冲：20A
导通电阻（RDS(on)）：≤0.65Ω @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220、TO-252（DPAK）
JX2N5528具有多项优异性能，适用于高要求的电源转换应用。其高电压耐受能力使其适用于200V系统设计，适合用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）以及电机控制电路。器件的低导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通损耗，提高能效，从而减少散热设计的复杂性。
此外，JX2N5528具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，增强了系统的可靠性和耐用性。该MOSFET具有快速开关特性，适用于高频开关电路，减少开关损耗，提高整体系统效率。由于其TO-220或TO-252封装形式，安装简便，适用于多种电路布局。
JX2N5528主要用于各类功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统、负载开关、LED驱动器以及工业自动化控制系统。其高耐压特性也使其适用于某些高电压低电流的逆变器和电源转换模块。
2N5528, IRF540N, FQP5N60C, JX2N5529
