RD11UJ-T1 时间：2025/7/9 17:29:55 阅读：15

RD11UJ-T1是一款基于氮化镓（GaN）技术的功率电子器件，属于高效能开关晶体管系列。该器件设计用于高频和高效率的应用场景，其封装形式为表面贴装，适合自动化生产和紧凑型设计需求。
　　此芯片的主要特点是低导通电阻和快速开关速度，能够显著减少能量损耗并提升系统性能。它通常应用于电源管理、充电器、适配器以及其他需要高频率开关操作的电子产品中。

参数

类型：增强型场效应晶体管 (eGaN FET)
　　导通电阻：6.5 mΩ
　　最大漏源电压：100 V
　　最大连续漏极电流：28 A
　　栅极-源极电压：-3 至 +6 V
　　输出电容：450 pF
　　反向传输电容：180 pF
　　工作温度范围：-55 至 +175 ℃
　　封装形式：LLP8-2x2

特性

RD11UJ-T1采用了先进的氮化镓材料制造工艺，具备以下突出特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗。
　　2. 高开关频率支持，可实现更小尺寸的无源元件设计。
　　3. 热稳定性强，能够在宽泛的工作温度范围内保持一致性能。
　　4. 内置保护功能，如过流限制和静电防护措施。
　　5. 小巧的封装设计使其非常适合空间受限的应用环境。
　　此外，与传统的硅基MOSFET相比，RD11UJ-T1在动态性能和效率方面表现出明显优势。

应用

RD11UJ-T1广泛应用于多种现代电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
　　1. USB PD快充适配器
　　2. 开关电源（SMPS）
　　3. LED驱动电路
　　4. 无线充电发射端
　　5. 消费类电子产品的电源模块
　　6. 数据中心供电单元
　　由于其高效的能量转换能力和紧凑的设计特点，这款芯片特别适合追求小型化和高性能的产品开发。