B80NF10 时间：2025/7/23 11:51:28 阅读：8

B80NF10是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由STMicroelectronics生产。这款晶体管专为高电流、高频率开关应用设计，具有较低的导通电阻和较高的耐压能力，适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器和负载开关等多种应用场景。其封装形式通常为TO-220或D2PAK，具备良好的散热性能，适合高功率密度设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：80A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大5.5mΩ（典型值约4.5mΩ）
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装类型：TO-220、D2PAK或类似

特性

B80NF10的主要特性包括非常低的导通电阻，使其在高电流应用中具有较低的导通损耗，从而提高系统效率。由于其高电流承载能力和低Rds(on)特性，该器件适用于需要高功率密度的场合。此外，B80NF10具有良好的热稳定性，能够在较高的温度下稳定工作，增强了其在恶劣环境下的可靠性。
　　该MOSFET还具有快速开关特性，支持高频操作，适用于开关电源和DC-DC转换器等高频应用。其高栅极电荷（Qg）特性需要考虑驱动电路的设计，确保能够提供足够的驱动电流以实现快速开关，同时避免因过高的dv/dt而引起的误开通问题。
　　在保护方面，B80NF10具备一定的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下提供一定程度的自我保护。此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于环保要求较高的电子产品。

应用

B80NF10广泛应用于多种高功率电子设备中，包括电源供应器、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备和负载开关控制。由于其高电流能力和低导通电阻，它也非常适合用于需要高效率和高可靠性的汽车电子系统，如车载充电器、电动工具和电动车控制系统。
　　此外，B80NF10还可用于逆变器设计、太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统，以提高整体系统的效率和稳定性。其高耐压特性和热稳定性使其成为工业和汽车应用中的理想选择。