时间：2025/12/25 12:37:56
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RCX220N25是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）推出的N沟道功率MOSFET，专为高效率电源转换应用而设计。该器件采用先进的沟槽式场效应技术制造，能够在低电压和中等电流条件下实现极低的导通电阻和优异的开关性能。RCX220N25广泛应用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关以及电池供电设备中的电源管理模块。其小型化的封装形式使其非常适合空间受限的便携式电子产品。
该MOSFET的额定电压为25V，连续漏极电流可达19A，具备良好的热稳定性和可靠性。器件在+25°C环境温度下表现出色，并且在高温环境下仍能维持稳定的电气特性。RCX220N25还具备优良的抗雪崩能力和坚固的栅极氧化层设计，增强了其在瞬态过压和浪涌条件下的耐用性。此外，该产品符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，适用于绿色电子产品的开发。
型号：RCX220N25
制造商：ROHM Semiconductor
器件类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：25V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id @ 25°C）：19A
脉冲漏极电流（Idm）：76A
导通电阻（Rds(on) @ Vgs=4.5V）：8.8mΩ
导通电阻（Rds(on) @ Vgs=2.5V）：11.8mΩ
阈值电压（Vth）：0.7V ~ 1.2V
输入电容（Ciss）：1300pF @ Vds=10V
输出电容（Coss）：460pF @ Vds=10V
反向恢复时间（trr）：18ns
最大功耗（Pd）：2.5W @ Ta=25°C
工作结温范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：HVSOF-8
RCX220N25具备出色的低导通电阻特性，这使其在大电流应用中能够显著降低导通损耗，从而提升整体系统效率。其在Vgs=4.5V时的Rds(on)仅为8.8mΩ，在同类25V N沟道MOSFET中处于领先水平。这一特性对于需要高效能量转换的应用尤为重要，例如便携式设备中的同步降压转换器或电池管理系统中的功率开关。低Rds(on)不仅减少了I2R损耗，还能降低器件温升，提高系统的热稳定性。
该器件支持低至2.5V的栅极驱动电压，在现代低压逻辑控制环境中表现出良好的兼容性。随着微控制器和数字电源控制器普遍采用3.3V或更低的逻辑电平，能够在2.5V下可靠工作的MOSFET成为设计的关键。RCX220N25在Vgs=2.5V时仍能保持11.8mΩ的低导通电阻，确保了即使在低驱动电压条件下也能实现高效的功率控制。
RCX220N25采用了HVSOF-8封装，具有较小的占位面积和优良的散热性能。这种表面贴装封装适合自动化贴片生产，并可通过PCB焊盘进行有效散热。相较于传统的SO-8封装，HVSOF-8在相同尺寸下提供了更高的电流承载能力和更好的热阻特性，有助于提升功率密度。
该MOSFET具备快速开关能力，得益于较低的输入和输出电容（Ciss=1300pF, Coss=460pF），可减少开关过程中的充放电时间，从而降低开关损耗。这对于高频开关电源（如工作频率超过500kHz的DC-DC变换器）至关重要。同时，较短的反向恢复时间（trr=18ns）意味着体二极管的反向恢复电荷较小，减少了交叉导通风险和电磁干扰（EMI）。
从可靠性角度看，RCX220N25经过严格的质量测试，具备高抗噪能力和稳定的栅极耐压特性（±12V）。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其可在严苛环境下稳定运行，适用于工业级和消费类多种应用场景。
RCX220N25主要用于各类中低电压直流电源系统中，尤其是在对效率和空间有较高要求的设计场景。典型应用包括同步整流型DC-DC降压变换器，其中作为上管或下管使用，利用其低导通电阻和快速开关特性来提高转换效率。在便携式电子设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，该器件常用于电池供电路径的负载开关或电源路径管理单元，实现对不同功能模块的独立供电控制。
此外，RCX220N25也适用于电机驱动电路中的低端开关，特别是在小型直流电机或步进电机的驱动中，能够承受较高的脉冲电流并保持较低的功耗。在LED照明驱动方案中，可用于恒流调节回路中的开关元件，配合电感式升压或降压拓扑实现高效调光。
由于其良好的热性能和紧凑封装，该MOSFET也被广泛用于热插拔控制器、USB电源开关、充电管理IC外围电路以及各种电源分配网络（PDN）中。在多电源域切换系统中，RCX220N25可用于防止反向电流流动，起到理想二极管的作用。同时，其快速响应能力使其适合用于瞬态负载保护和软启动电路设计。
SiSS108DN-T1-E3
AO4403
NXM220N25L
