RCLAMP2421Z.TNT 是由Semtech公司生产的一款双向电压抑制二极管阵列(SPA - Silicon Protection Array),主要用于保护电子设备免受静电放电(ESD)、电快速瞬变脉冲群(EFT)和浪涌电压等瞬态电压的损害。该器件采用双向设计,适用于需要高可靠性和高性能电路保护的应用场景。
类型:双向电压抑制二极管阵列
工作电压:24V
钳位电压(Vc):最大36.6V(在Ipp = 1A时)
峰值脉冲电流(Ipp):±1A(每线)
响应时间:小于1ns
封装形式:SOT-23
引脚数:3
工作温度范围:-55°C至150°C
ESD保护等级:IEC 61000-4-2 Level 4(±8kV接触放电,±15kV空气放电)
RCLAMP2421Z.TNT 具备卓越的瞬态电压保护性能,能够在极短时间内将高能瞬态电压钳制在一个安全水平,从而保护下游电路免受损坏。其双向设计使其适用于正负电压波动的场合,特别适合于需要双向保护的模拟和数字信号线路。该器件采用SOT-23封装,体积小巧,便于在高密度PCB布局中使用。此外,RCLAMP2421Z.TNT 的低电容特性确保了其在高速数据传输应用中的信号完整性。
RCLAMP2421Z.TNT 的主要保护特性包括:高ESD耐受能力(IEC 61000-4-2 Level 4)、低钳位电压、快速响应时间和优异的浪涌保护能力。这些特性使其成为理想的电路保护器件,适用于各种工业、消费电子和通信设备。
RCLAMP2421Z.TNT 广泛应用于需要瞬态电压保护的电子系统中,典型应用包括:USB接口保护、HDMI接口保护、以太网接口保护、RS-485/RS-232通信接口保护、传感器信号线保护、音频/视频信号线路保护、手持设备和移动电话等便携式电子产品中的电路保护。其低电容特性也使其适用于高速数据线路的保护。
RCLAMP2482Z.TNT, RCLAMP3021Z.TNT, TPD3E001, ESD9C24ST5G