时间：2025/5/12 20:51:11
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AS0BC21-S40BE-7H 是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用领域。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够显著提高系统的效率和可靠性。
这款芯片通过优化栅极电荷和阈值电压等参数，在高频工作条件下表现出优异的性能，同时其封装形式也支持高效的散热管理。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：40V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：21A
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ
栅极电荷(Qg)：45nC
总电容(Ciss)：1560pF
工作温度范围(Ta)：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻Rds(on)，可有效降低传导损耗，提升整体系统效率。
2. 高速开关性能，适用于高频应用场景。
3. 良好的热稳定性，即使在高温环境下也能保持稳定运行。
4. 采用先进封装技术，具备优秀的散热能力。
5. 内置ESD保护功能，增强器件的抗静电能力。
6. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器的核心元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 电池管理系统(BMS)中的充放电路径管理。
5. 各类工业自动化设备中的功率转换与控制模块。
6. 汽车电子系统中的负载切换与保护电路。
IRFZ44N, FDP18N35, BUK9N10-40E
