PESD3V3L1UB 是一款基于硅材料的瞬态电压抑制二极管(TVS),主要用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、浪涌和其他瞬态电压的损害。该器件具有超低电容特性,非常适合高速数据线和射频线路中的信号完整性保护。它采用 SOD-323 封装形式,具有紧凑的外形设计,便于在空间受限的应用中使用。
该 TVS 二极管的工作电压为 3.3V,能够提供快速响应时间和高钳位能力,从而有效防止过电压事件对敏感元件造成损坏。
工作电压:3.3V
峰值脉冲电流:60A
最大反向工作电压:3.3V
击穿电压:4.8V
箝位电压:7.9V
结电容:0.5pF
响应时间:1ps
存储温度范围:-65℃ 至 +150℃
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
PESD3V3L1UB 的主要特性包括:
1. 超低结电容(0.5pF),适合高速信号线路。
2. 快速响应时间(1ps),可迅速抑制瞬态电压。
3. 高度可靠的 ESD 和浪涌保护性能。
4. 符合 AEC-Q101 标准,适用于汽车级应用。
5. 具有良好的重复性耐久性能,在多次 ESD 冲击后仍能保持稳定的电气特性。
6. 紧凑的 SOD-323 封装形式,节省 PCB 空间。
7. 无铅设计,符合 RoHS 指令要求。
PESD3V3L1UB 广泛应用于需要可靠保护的场景,例如:
1. 高速数据接口保护,如 USB、HDMI、DisplayPort 和 Ethernet。
2. 射频模块保护,如 WLAN、蓝牙和 Zigbee。
3. 汽车电子系统中的信号线路保护,如 CAN 总线、LIN 总线。
4. 移动设备中的天线保护。
5. 工业控制设备中的通信接口保护。
6. 医疗设备中的敏感信号路径保护。
PESD3V3LA, PESD3V3BAT, SMAJ3V3A