电容值：100pF
　　容差：±1%
　　额定电压：50V
　　介质材料：NP0（C0G）
　　封装类型：SMD
　　工作温度范围：-55℃~+125℃
　　尺寸：0805（2.0mm x 1.25mm）
　　绝缘电阻：10,000MΩ min
　　损耗角正切（tanδ）：≤0.15%
　　温度系数：0±30ppm/℃

RCH855NP-101K 的核心优势在于其优异的温度稳定性，其电容值在宽温度范围内几乎不发生变化，这使其非常适合用于振荡器、滤波器和定时电路等高精度场景。由于采用NP0（C0G）介质材料，该电容器的频率响应也非常稳定，能够在高频应用中保持较低的损耗。此外，该器件的封装形式为SMD，不仅节省空间，还能够满足现代电子产品对小型化和轻量化的需求。
　　另一个重要特性是该电容器具有良好的机械强度和耐焊热性，确保在SMT（表面贴装技术）回流焊过程中不会出现裂纹或损坏。其高绝缘电阻和低泄漏电流也使得该电容器在低功耗和高可靠性应用中表现出色，例如在电池供电设备和高阻抗电路中。同时，RCH855NP-101K 符合RoHS指令，不含任何有害物质，适用于环保要求较高的产品设计。

RCH855NP-101K 广泛应用于需要高稳定性和低损耗的电子电路中。其主要应用领域包括但不限于：射频（RF）电路中的滤波和匹配网络、高精度振荡器和时钟电路、模拟滤波器、放大器偏置电路以及高可靠性工业控制系统中的定时电路。此外，由于其优异的温度稳定性和低损耗特性，它也常用于精密测量仪器、通信设备、音频设备和传感器模块等产品中。在这些应用中，RCH855NP-101K 能够有效保证电路的稳定性和精度，同时满足现代电子产品对小型化、高性能和环保的要求。

GRM188R71H104KA01D, C0805C104K5RACTU, CL10A104KB8LNNC