时间：2025/8/18 11:23:41
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NESB064T-N3 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管系列。该器件设计用于高功率和高频率应用，具有良好的热稳定性和电流处理能力。它广泛用于射频（RF）放大器、电源转换器、电机控制和工业自动化系统中。NESB064T-N3 采用 TO-264 封装，适用于高电流和高电压的工作环境。
类型：NPN双极型晶体管
集电极-发射极电压（Vce）：80V
集电极-基极电压（Vcb）：100V
发射极-基极电压（Veb）：5V
集电极电流（Ic）：30A
功耗（Pd）：200W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
存储温度范围：-55°C 至 150°C
电流增益（hFE）：在Ic=4A时为50-240
过渡频率（fT）：典型值为3MHz
NESB064T-N3 拥有优异的热性能和高电流处理能力，能够在恶劣环境下稳定工作。其高功率耗散能力（200W）使其适用于高功率放大器和电源管理应用。该晶体管具有低饱和压降（Vce_sat），减少了功率损耗并提高了效率。此外，它具备较高的电流增益（hFE），可在宽电流范围内保持稳定的放大性能。该器件的封装形式（TO-264）提供良好的散热能力，适用于高密度PCB设计。其高频率响应（fT为3MHz）使其在中高频放大应用中表现出色。
NESB064T-N3 的可靠性高，符合工业级标准，适合在严苛的工业控制和电机驱动系统中使用。其封装材料符合 RoHS 标准，支持环保应用。该晶体管在设计上优化了热阻，使得其在高温环境下仍能维持稳定性能，延长了器件的使用寿命。
NESB064T-N3 主要用于需要高电流和高电压处理能力的电子电路中。常见的应用包括电源管理、电机驱动、工业自动化设备、高频放大器、射频功率放大器、音频放大器、逆变器以及各种高功率开关电路。由于其高可靠性和良好的热性能，该晶体管也适用于汽车电子系统和工业控制系统中的高负载应用。
NTE236, TIP142, MJ15024G, MJ21194
