型号：RCD040N25
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：25 V
　　栅源电压（VGS）：±12 V
　　连续漏极电流（ID @ TC=25°C）：17 A
　　连续漏极电流（ID @ TC=100°C）：12 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：70 A
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS=4.5V）：6.0 mΩ
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS=2.5V）：9.5 mΩ
　　导通电阻（RDS(on) typ @ VGS=4.5V）：4.0 mΩ
　　阈值电压（VGS(th) min）：1.0 V
　　阈值电压（VGS(th) max）：2.3 V
　　输入电容（Ciss）：1070 pF
　　输出电容（Coss）：360 pF
　　反向传输电容（Crss）：70 pF
　　总栅极电荷（Qg typ @ VDS=12.5V, ID=8.5A）：9 nC
　　上升时间（tr）：7 ns
　　下降时间（tf）：5 ns
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围（Tstg）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装类型：PowerPAK SO-8L

RCD040N25采用了安森美先进的沟槽型MOSFET工艺技术，这种结构通过优化单元设计和掺杂分布，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了导通损耗，提高了整体能效。其在VGS=4.5V条件下，典型RDS(on)仅为4.0mΩ，最大不超过6.0mΩ，在同类25V N沟道MOSFET中处于领先水平，特别适用于大电流、低电压的应用场景，如同步整流和电池供电系统中的主开关器件。该器件还具备出色的动态性能，输入电容Ciss为1070pF，反向传输电容Crss仅为70pF，这意味着它可以在高频开关电路中实现快速响应和低驱动损耗，有效降低开关过程中的能量损失。此外，总栅极电荷Qg典型值仅9nC，使得驱动电路设计更为简单，减少了对外部驱动器的要求，有利于提高系统的集成度和可靠性。
　　RCD040N25具有良好的热稳定性和长期可靠性，其PowerPAK SO-8L封装去除了传统的引线框架，采用双面散热设计，显著提升了热传导效率，使器件在高负载下仍能维持较低的工作温度。这种封装还减小了寄生电感，有助于抑制开关过程中的电压振铃现象，提升EMI性能。该MOSFET的体二极管具有较快的反向恢复特性，反向恢复电荷Qrr较低，可减少续流期间的能量损耗，尤其在同步降压变换器中作为下管使用时表现优异。同时，器件具备高达±2kV的人体模型（HBM）ESD保护能力，增强了在生产、运输和现场操作中的安全性。宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其能够在极端环境下稳定运行，满足工业级和汽车级应用的需求。

RCD040N25广泛应用于需要高效、紧凑型功率开关解决方案的各类电子系统中。在便携式消费电子产品中，例如智能手机、平板电脑和超极本，常被用作DC-DC buck或boost转换器中的主开关管或同步整流管，利用其低RDS(on)和快速开关特性来提升电源转换效率并延长电池续航时间。在服务器和通信电源模块中，该器件可用于多相电压调节模块（VRM），支持处理器核心供电，满足高电流、低电压输出的要求。此外，在电机控制领域，RCD040N25可用于H桥驱动电路中的低端或高端开关，实现对直流电机或步进电机的精确控制，适用于无人机、电动工具和家用电器等设备。其高脉冲电流能力（IDM达70A）也使其适合用于热插拔控制器或负载开关应用，在系统上电瞬间提供稳定的电流承载能力，防止浪涌电流损坏后续电路。在电池管理系统（BMS）中，该MOSFET可用于电池充放电路径的通断控制，配合保护IC实现过流、短路和过温保护功能。由于其符合RoHS标准且不含卤素，也适用于对环保要求严格的绿色电子产品设计。凭借其高性能与高可靠性的特点，RCD040N25同样适用于工业自动化、网络设备、LED驱动电源以及车载信息娱乐系统的电源部分。

NVTFS4C04NL,NVMFS4C04NL,SISS045DN,SZBTA040N25