型号：RBR3MM60BTFTR
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：肖特基势垒二极管（SBD）
　　最大重复反向电压（VRRM）：60V
　　平均整流电流（IF(AV)）：3A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：50A（8.3ms单半波）
　　正向电压降（VF）：典型值0.54V，最大值0.62V（在IF=3A, TC=25°C条件下）
　　反向漏电流（IR）：最大10μA（在VR=60V, TC=25°C）；高温下最大100μA（在VR=60V, TC=125°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：DFN2530-10C（无铅、无卤素）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　热阻（Rth(j-c)）：约2.0°C/W（依PCB设计而异）
　　引脚数：10
　　是否符合RoHS：是
　　是否通过AEC-Q101认证：是

RBR3MM60BTFTR采用了ROHM独有的沟道型MPS（Merged Pi-Spacing）结构技术，这种结构将传统的肖特基势垒与局部PN结相结合，实现了低正向导通压降与优异反向阻断特性的平衡。传统肖特基二极管虽然具有快速开关速度和低VF优势，但其反向漏电流较大且耐压能力有限，尤其是在高温环境下表现不佳。而MPS结构通过在肖特基接触区域引入微小的P型掺杂区，形成局部PN结，从而有效抑制电场集中，提升击穿电压并降低高温下的漏电流。这使得RBR3MM60BTFTR即使在125°C高温下也能维持较低的反向漏电（最大100μA），确保系统在恶劣环境下的长期可靠性。
　　该器件具备出色的热稳定性和抗浪涌能力，峰值正向浪涌电流可达50A，适合应对瞬态过载工况，如电源启动或负载突变等场景。同时，由于其本质为多数载流子导电器件，不存在少数载流子存储效应，因此反向恢复时间极短（可视为接近零），几乎不会产生反向恢复损耗，特别适用于高频开关电源拓扑，例如同步整流Buck/Boost转换器、LLC谐振变换器等，有助于提高整体能效并减少电磁干扰（EMI）。
　　DFN2530-10C封装不仅尺寸小巧（典型尺寸约为2.5mm x 3.0mm x 1.0mm），还配备了中心散热焊盘，可通过PCB上的热过孔实现高效散热，显著降低热阻，提升功率密度。该封装支持自动化贴片工艺，适用于回流焊流程，满足现代电子产品对小型化、轻量化和高自动化生产的需求。此外，产品通过AEC-Q101车规认证，意味着其经历了严格的应力测试（包括高温反偏、温度循环、高加速应力试验HAST等），可在车载信息娱乐系统、ADAS传感器供电、LED车灯驱动等严苛环境中稳定工作。

RBR3MM60BTFTR广泛应用于需要高效、高频整流功能的各类电源系统中。在通信设备领域，它常用于服务器电源、基站DC-DC模块中的次级侧整流或同步整流电路，凭借其低VF和零反向恢复特性，显著降低传导损耗和开关损耗，提升整体转换效率。在消费类电子产品中，如智能手机快充适配器、笔记本电脑电源板、平板电视电源单元等，该器件作为续流二极管或OR-ing二极管使用，能够在紧凑空间内提供可靠的电流路径切换和能量回馈功能。
　　在工业控制与自动化系统中，RBR3MM60BTFTR可用于PLC电源模块、电机驱动器的保护电路以及隔离式电源的输出整流环节，其宽温工作能力和高可靠性保障了设备在复杂电磁环境和宽温度范围内的持续运行。更重要的是，得益于其通过AEC-Q101认证，该器件在汽车电子系统中也得到广泛应用，例如车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）辅助电源、车身控制模块和照明系统等。在这些应用中，器件必须承受振动、湿度、温度剧烈变化等挑战，而RBR3MM60BTFTR的稳健设计和高质量封装确保了长期服役的稳定性。此外，由于其低电磁噪声特性，也有助于满足汽车EMI法规要求，避免对敏感信号线路造成干扰。

RBV3MM60BM60FTR