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IS46TR16640CL-107MBLA2 发布时间 时间:2025/12/28 18:09:50 查看 阅读:29

IS46TR16640CL-107MBLA2 是由Integrated Silicon Solution(ISSI)生产的一款高速CMOS静态随机存取存储器(SRAM)芯片。这款SRAM属于异步SRAM类型,具有16位数据宽度和64K地址空间,总容量为1Mbit(64K x 16)。它采用低功耗设计,适用于对功耗和速度都有较高要求的应用场景。该芯片封装为TSOP,符合工业标准,并广泛用于通信、工业控制、嵌入式系统等领域。

参数

容量:1Mbit
  组织结构:64K x 16
  电源电压:3.3V
  访问时间(tRC):10ns(最大)
  读取时间(tAA):5.4ns(最大)
  工作温度范围:-40°C至+85°C(工业级)
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  引脚数量:54
  数据总线宽度:16位
  读写操作:异步
  功耗(典型):120mA(待机时为10mA)
  输出使能(OE):低电平有效
  写使能(WE):低电平有效
  片选(CE):低电平有效

特性

IS46TR16640CL-107MBLA2 采用先进的CMOS工艺制造,具有高速和低功耗的特点。其最大访问时间为10ns,适用于需要快速数据存取的应用。该芯片支持异步操作,无需外部时钟控制,提高了设计的灵活性。其低待机电流(10mA)有助于在待机模式下节省功耗,适合用于电池供电设备或对功耗敏感的系统。
  此外,该SRAM芯片具有高可靠性和稳定性,符合工业级温度范围要求(-40°C至+85°C),可在恶劣环境下稳定运行。TSOP封装形式不仅体积小巧,还具有良好的热性能和电气性能,便于在高密度PCB设计中使用。
  IS46TR16640CL-107MBLA2 的读写控制信号(OE、WE、CE)均为低电平有效,便于与多种微处理器和控制器接口兼容。该器件无需刷新操作,数据在上电状态下保持不变,简化了系统设计并提高了数据可靠性。

应用

IS46TR16640CL-107MBLA2 广泛应用于需要高速、低功耗和高稳定性的电子系统中。例如,在工业控制设备中作为缓存或临时数据存储;在通信设备中用于处理高速数据流;在嵌入式系统中作为主控芯片的外部存储器扩展;以及在消费类电子产品中用于图形处理、图像缓冲等场景。
  此外,该SRAM芯片也适用于测试设备、医疗仪器、车载电子系统和网络设备等对数据存取速度和稳定性有较高要求的领域。由于其异步接口设计,可方便地与FPGA、DSP、ARM处理器等多种控制器连接,适用于多种系统架构。

替代型号

IS46TR16640AL-107TLB2, CY7C1061BNV33-10ZSXI, IDT71V464SA10PFGI, IS46TR16640CF-107MBLA2

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IS46TR16640CL-107MBLA2参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格380 : ¥32.74084托盘
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3L
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织64M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率933 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-TFBGA
  • 供应商器件封装96-TWBGA(9x13)