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CY7C1059DV33-10ZSXI 发布时间 时间:2025/7/11 22:37:18 查看 阅读:4

CY7C1059DV33-10ZSXI 是由 Cypress 公司生产的一款高速、低功耗的静态随机存取存储器(SRAM)。该芯片采用先进的 CMOS 工艺制造,具有出色的性能和可靠性,广泛应用于需要高数据传输速率和稳定存储能力的场景。其组织结构为 4M x 18,并且支持多种工作模式以适应不同的应用需求。
  该型号的 SRAM 特别适合用在通信设备、网络交换机、路由器、图像处理以及工业控制等领域。

参数

容量:4M x 18 (72Mb)
  核心电压:3.3V
  接口类型:同步
  访问时间:10ns
  数据宽度:18位
  封装形式:FBGA
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  I/O 电压:3.3V

特性

CY7C1059DV33-10ZSXI 提供了非常高的数据吞吐量,访问时间仅为 10ns,能够满足实时性要求较高的系统需求。
  芯片内置自动刷新功能,减少了外部控制器的负担。
  具备低功耗待机模式,在不使用时可以显著降低能耗。
  支持突发模式操作,允许快速连续读写多个地址单元。
  拥有强大的抗噪能力和电气稳定性,适用于恶劣环境下的工业应用。
  采用了紧凑型 FBGA 封装,节省 PCB 空间同时提高信号完整性。

应用

该 SRAM 芯片常用于对速度和可靠性要求较高的场合,例如:
  网络设备中的数据包缓冲区;
  高性能图形处理器中的帧缓存;
  工业自动化控制系统中的临时数据存储;
  医疗成像设备中的图像采集与处理模块;
  军事和航空航天领域中的关键任务数据存储。

替代型号

CY7C1059DV33-12ZSXI
  CY7C1059DV33-15ZSXI

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CY7C1059DV33-10ZSXI参数

  • 数据列表CY7C1059DV33
  • 标准包装135
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型SRAM - 异步
  • 存储容量8M(1M x 8)
  • 速度10ns
  • 接口并联
  • 电源电压3 V ~ 3.6 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
  • 供应商设备封装44-TSOP II
  • 包装托盘