型号：RB751VM-40FH
　　类型：双通道肖特基势垒二极管（共阴极）
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：40V
　　最大直流阻断电压（VR）：40V
　　平均整流电流（IO）：300mA
　　峰值浪涌电流（IFSM）：1A
　　正向电压（VF）：典型值0.36V（在10mA时），最大值0.52V（在100mA时）
　　反向漏电流（IR）：最大值100nA（在25°C，24V时）
　　反向恢复时间（trr）：典型值<1ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOD-523F（超小型塑料封装）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2
　　极性配置：共阴极（Common Cathode）

RB751VM-40FH具备优异的高频开关性能，得益于其肖特基势垒结构，该器件实现了极低的正向导通压降与超快的反向恢复速度。在100mA工作电流下，其正向压降最大仅为0.52V，显著低于传统PN结二极管，从而大幅降低了导通损耗，提升了能源利用效率。这一特性使其非常适合应用于电池供电设备或对能效要求较高的系统中，如移动终端、可穿戴设备和物联网节点等。
　　该器件的反向恢复时间小于1纳秒（trr < 1ns），几乎不存在少数载流子存储效应，因此在高频开关环境下不会产生明显的反向恢复电流尖峰，有效抑制了电磁干扰（EMI）并减少了功率损耗。这对于高频DC-DC转换器、同步整流辅助电路以及信号包络检波等应用场景至关重要。此外，由于其快速响应能力，RB751VM-40FH也可用于瞬态电压抑制和噪声滤波电路中，提供可靠的信号完整性保障。
　　RB751VM-40FH采用共阴极双二极管结构，允许两个通道独立工作，常用于双路续流保护、电源轨隔离或多路信号钳位设计。其高达+150°C的最大结温确保了在高温环境下的稳定运行，适用于汽车电子、工业控制等严苛工况。SOD-523F封装具有极小的占板面积（约1.2mm x 0.8mm），配合轻薄外形，非常适合高密度PCB布局需求。整体器件经过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、温度循环和湿度敏感度等级1（MSL-1）认证，确保长期使用的稳定性与耐用性。

RB751VM-40FH广泛应用于各类需要高效、高频整流与保护功能的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电池充放电管理电路，作为防止反向电流流动的防倒灌二极管；在DC-DC升压或降压转换器中用作续流二极管，协助实现平滑的能量传输并减少开关节点振铃现象。
　　在通信模块和射频前端电路中，该器件可用于信号检波、限幅和ESD防护，凭借其低结电容和快速响应特性，能够精准捕捉高频信号包络而不引入明显失真。此外，在多电源系统中，RB751VM-40FH常被用于电源选择与优先级切换电路（Power OR-ing），实现主备电源之间的无缝切换，避免因电源冲突导致系统复位或损坏。
　　该器件也适用于传感器接口电路中的信号调理部分，例如用于钳位过压信号以保护后级精密放大器或ADC输入端。在汽车电子领域，可用于车载信息娱乐系统、LED驱动电源及ECU外围保护电路。由于其小型化封装和高可靠性，RB751VM-40FH同样适合工业自动化设备、智能家居控制器和无线充电接收模块中的电压保护与整流任务。

RB751S-40T1G
　　BAT54C
　　SMS7621