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DTD143EKT146 发布时间 时间:2025/4/29 11:35:23 查看 阅读:4

DTD143EKT146是一款高性能的MOSFET功率晶体管,适用于高频率开关应用。该器件采用先进的制造工艺,确保了低导通电阻和快速开关特性。其封装形式通常为TO-220,便于散热管理,并在电源转换、电机驱动和负载开关等应用中表现出色。
  DTD143EKT146属于N沟道增强型场效应晶体管,主要特点包括低栅极电荷、低导通损耗以及出色的热稳定性。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:14A
  脉冲漏极电流:35A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:39nC
  总电容:1120pF
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

1. 低导通电阻(Rds(on)),能够显著降低功率损耗。
  2. 快速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 高电流处理能力,支持大功率电路设计。
  4. 强大的热性能,能够在极端温度条件下稳定运行。
  5. 封装形式优化散热路径,提高了系统可靠性。
  6. 符合RoHS标准,环保且无铅材料。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的功率级控制。
  2. 电机驱动器中的功率输出级。
  3. 负载开关和保护电路。
  4. DC-DC转换器中的同步整流。
  5. 电池管理系统(BMS)中的功率分配控制。
  6. 工业自动化设备中的功率调节模块。

替代型号

IRFZ44N
  FDP15U20AB
  STP14NM60
  FDMC8817

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DTD143EKT146参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)4.7k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)4.7k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)47 @ 50mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 2.5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 频率 - 转换200MHz
  • 功率 - 最大200mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装3-SMT
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DTD143EKT146TR