类型：肖特基势垒二极管
　　极性：单路
　　最大重复反向电压（VRRM）：40V
　　平均整流电流（IO）：200mA
　　峰值浪涌电流（IFSM）：0.5A
　　正向电压降（VF）：典型值0.48V（在100mA时）
　　最大反向漏电流（IR）：0.1μA（典型值，25°C）
　　反向恢复时间（trr）：< 4ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOD-123FL
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　热阻（RθJA）：约450°C/W
　　电容（CT）：约30pF（在1MHz下）

RB751CM-40的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构，这种结构通过金属与N型半导体之间的势垒形成整流效应，避免了传统PN结中少数载流子的存储效应，因此具备极快的开关速度和极短的反向恢复时间（trr < 4ns）。这一特性使其在高频开关电源、DC-DC变换器和脉冲电路中表现出色，能够显著降低开关损耗并提高整体系统效率。同时，由于没有少子存储电荷，RB751CM-40在反向截止状态下几乎不存在反向恢复尖峰电流，减少了电磁干扰（EMI）问题，提升了系统的电磁兼容性。
　　该器件的最大重复反向电压为40V，适合用于低压直流系统中的整流与保护应用，例如USB供电路径管理、电池充电电路或负载切换模块。其平均整流电流能力为200mA，在轻载条件下可长期稳定运行，且在瞬态过流情况下能承受最高达0.5A的浪涌电流，具备一定的抗冲击能力。正向电压降在100mA时仅为0.48V左右，远低于普通硅二极管的0.7V水平，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，有助于提升能效并减少散热设计复杂度。
　　RB751CM-40采用SOD-123FL小型表面贴装封装，外形紧凑（典型尺寸约为1.7mm × 1.25mm × 0.95mm），非常适合空间受限的高密度PCB布局，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式产品。该封装还具备优良的热传导性能和机械强度，支持回流焊工艺，适应现代自动化生产线的要求。此外，器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，确保在极端环境温度下仍能可靠工作，适用于工业级和汽车电子等严苛应用场景。

RB751CM-40因其低正向压降、快速响应和小尺寸特性，被广泛应用于多种电子系统中。常见用途包括作为DC-DC转换器中的续流二极管或输出整流元件，特别是在升压（Boost）、降压（Buck）和反激式（Flyback）拓扑结构中，用于防止电感电流中断并维持能量传递连续性。在电池供电设备中，它可用于防止反向电流流入已关闭的电源路径，起到防倒灌作用。此外，该二极管也常用于信号线路的电压箝位与静电放电（ESD）保护，限制瞬态电压幅度以保护敏感IC输入端口。
　　在通信接口电路中，如USB、I2C、UART等数据线路上，RB751CM-40可用于双向信号隔离与钳位，避免因电压过高或负压导致主控芯片损坏。在电源多路选择电路中，它可以作为OR-ing二极管使用，实现多个电源输入之间的无缝切换与互锁保护。另外，由于其快速响应能力，该器件也可用于高频检波电路或脉冲整形网络中，辅助完成模拟信号处理功能。在LED驱动、传感器供电模块以及低功耗微控制器外围电路中，RB751CM-40同样发挥着关键作用，提供高效的电压控制与电流导向功能。

RB751S-40
　　SS14
　　BAT54C
　　BAS40-04W
　　PMG4104A