您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1206Y823JXCBT31G

GA1206Y823JXCBT31G 发布时间 时间:2025/6/6 17:03:08 查看 阅读:5

GA1206Y823JXCBT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高效率、高功率密度的应用场景设计。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,能够显著降低功耗并提升系统性能。它广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。
  这款芯片具有极佳的热性能和电气性能,支持高频工作环境,同时提供出色的可靠性和稳定性,适用于工业级和消费级电子设备。

参数

型号:GA1206Y823JXCBT31G
  类型:N沟道功率MOSFET
  封装形式:TO-247
  额定电压:650V
  额定电流:120A
  导通电阻:2.5mΩ(典型值)
  栅极电荷:120nC(最大值)
  开关速度:快速开关
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

GA1206Y823JXCBT31G的核心优势在于其卓越的电气性能和可靠性:
  1. 超低导通电阻:仅为2.5mΩ,可有效减少导通损耗,提高整体效率。
  2. 快速开关能力:低栅极电荷和优化的内部结构使其能够在高频应用中表现优异。
  3. 高耐压设计:额定电压高达650V,确保在高压环境下稳定运行。
  4. 大电流承载能力:支持最高120A的持续电流,满足高功率需求。
  5. 热性能优越:采用大尺寸金属封装,增强散热效果,延长使用寿命。
  6. 广泛的工作温度范围:从-55℃到+175℃,适应各种严苛环境条件。
  7. 符合RoHS标准:环保设计,满足国际法规要求。

应用

GA1206Y823JXCBT31G适用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. 逆变器和UPS系统
  3. 电机驱动与控制
  4. DC-DC转换器
  5. 工业自动化设备
  6. 太阳能逆变器
  7. 汽车电子系统
  其高功率密度和高效性能使其成为上述应用的理想选择。

替代型号

GA1206Y823JXCBT32G, IRFP260N, STP120N65E6

GA1206Y823JXCBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.082 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-