GA1206Y823JXCBT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高效率、高功率密度的应用场景设计。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,能够显著降低功耗并提升系统性能。它广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。
这款芯片具有极佳的热性能和电气性能,支持高频工作环境,同时提供出色的可靠性和稳定性,适用于工业级和消费级电子设备。
型号:GA1206Y823JXCBT31G
类型:N沟道功率MOSFET
封装形式:TO-247
额定电压:650V
额定电流:120A
导通电阻:2.5mΩ(典型值)
栅极电荷:120nC(最大值)
开关速度:快速开关
工作温度范围:-55℃至+175℃
GA1206Y823JXCBT31G的核心优势在于其卓越的电气性能和可靠性:
1. 超低导通电阻:仅为2.5mΩ,可有效减少导通损耗,提高整体效率。
2. 快速开关能力:低栅极电荷和优化的内部结构使其能够在高频应用中表现优异。
3. 高耐压设计:额定电压高达650V,确保在高压环境下稳定运行。
4. 大电流承载能力:支持最高120A的持续电流,满足高功率需求。
5. 热性能优越:采用大尺寸金属封装,增强散热效果,延长使用寿命。
6. 广泛的工作温度范围:从-55℃到+175℃,适应各种严苛环境条件。
7. 符合RoHS标准:环保设计,满足国际法规要求。
GA1206Y823JXCBT31G适用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. 逆变器和UPS系统
3. 电机驱动与控制
4. DC-DC转换器
5. 工业自动化设备
6. 太阳能逆变器
7. 汽车电子系统
其高功率密度和高效性能使其成为上述应用的理想选择。
GA1206Y823JXCBT32G, IRFP260N, STP120N65E6