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RB531SM-30FHT2R 发布时间 时间:2025/11/8 4:51:19 查看 阅读:5

RB531SM-30FHT2R是一款由瑞萨电子(Renesas Electronics)生产的高性能、低功耗的肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),专为高频开关应用和高效率电源管理电路设计。该器件采用先进的平面结构制造工艺,结合铂势垒技术,能够在保证低正向压降的同时提供较高的反向击穿电压,适用于多种便携式电子设备及工业控制领域。其封装形式为SOD-723FL,属于超小型表面贴装器件(SMD),非常适合空间受限的应用场景。
  该二极管具有优异的热稳定性和可靠性,在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。此外,RB531SM-30FHT2R符合RoHS环保标准,不含铅和其他有害物质,并通过了AEC-Q101车规级认证,适合在汽车电子系统中使用,如车载充电器、DC-DC转换器和电池管理系统等。其快速恢复特性使其在高频整流和防反接保护电路中表现出色,有效减少开关损耗并提升整体系统效率。

参数

型号:RB531SM-30FHT2R
  类型:肖特基势垒二极管
  最大重复反向电压(VRRM):30V
  最大平均正向整流电流(IF(AV)):200mA
  峰值正向浪涌电流(IFSM):1A
  最大正向压降(VF):0.48V @ 100mA
  最大反向漏电流(IR):100nA @ 25V
  反向恢复时间(trr):< 1ns
  工作结温范围(Tj):-40°C 至 +125°C
  封装类型:SOD-723FL
  安装方式:表面贴装(SMD)
  极性:单芯片二极管
  包装形式:编带(Tape and Reel)

特性

RB531SM-30FHT2R的核心优势在于其采用了铂(Pt)金属形成的肖特基势垒结构,这种材料组合显著提升了器件的热稳定性和长期可靠性。相比传统的镍或钛基肖特基二极管,铂势垒能够有效抑制金属与半导体界面的扩散现象,从而降低反向漏电流随温度升高的增长速率,确保在高温工作条件下依然维持较低的漏电水平。该特性对于需要长时间连续运行的电源系统尤为重要,例如在便携式医疗设备或汽车电子模块中,可大幅提高系统的安全性和稳定性。
  其次,该二极管具备极低的正向导通压降(典型值仅为0.48V @ 100mA),这直接转化为更低的功率损耗和更高的能量转换效率。在电池供电设备中,这一特点有助于延长续航时间。同时,由于其非常短的反向恢复时间(小于1纳秒),RB531SM-30FHT2R几乎不产生反向恢复电荷,避免了因开关瞬态引起的电磁干扰(EMI)问题,特别适合用于高频DC-DC变换器、同步整流辅助电路以及信号隔离保护等场合。
  此外,SOD-723FL封装尺寸仅为1.2mm × 0.8mm × 0.5mm,是目前市面上最小的二极管封装之一,极大节省了PCB布局空间,适应高密度集成的设计需求。其机械强度良好,支持回流焊工艺,便于自动化贴片生产。产品经过严格的筛选和测试,批次一致性高,适合大规模量产应用。

应用

RB531SM-30FHT2R广泛应用于对空间和能效要求严苛的电子产品中。常见用途包括移动终端中的电池充放电保护电路,用于防止电流倒灌;在智能手机、平板电脑和可穿戴设备的电源路径管理单元中,作为理想二极管实现多电源切换控制。此外,它也常被用作低压差线性稳压器(LDO)或开关稳压器输出端的防倒灌二极管,以提高系统效率。
  在通信模块方面,该器件可用于射频前端电路的静电放电(ESD)保护和直流偏置隔离。由于其快速响应能力,也可作为高速数字信号线路中的箝位二极管,抑制瞬态过电压。在汽车电子领域,RB531SM-30FHT2R被广泛部署于车身控制模块(BCM)、信息娱乐系统和ADAS传感器供电单元中,承担电源整流与反向保护功能。其AEC-Q101认证确保了在剧烈温度变化和振动环境下的可靠运行。另外,在工业传感器、IoT节点设备和无线充电接收器中,该二极管同样发挥着关键作用,保障系统稳定供电和高效能量利用。

替代型号

RB531S-30FHT2L
  RB531VM-30FHT2R
  PMGJ30UNC,215
  BAS40-04W
  SMS3911

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RB531SM-30FHT2R参数

  • 现有数量16,250现货
  • 价格1 : ¥2.94000剪切带(CT)8,000 : ¥0.44217卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)30 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)200mA
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)350 mV @ 10 mA
  • 速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏10 μA @ 10 V
  • 不同?Vr、F 时电容-
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SC-79,SOD-523
  • 供应商器件封装EMD2
  • 工作温度 - 结125°C(最大)