时间：2025/5/10 14:09:42
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SC6620-200G是一款基于硅工艺制造的高性能功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用领域。该器件采用TO-220封装形式，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适合在高效率、高频工作条件下使用。
SC6620-200G通过优化的结构设计和先进的制造工艺，能够有效降低功率损耗并提升整体系统性能。其出色的热特性和电气特性使其成为众多工业和消费类电子产品的理想选择。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：20A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：45nC
反向恢复时间：90ns
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 高击穿电压（650V），确保了器件在高压环境下的可靠性。
2. 低导通电阻（0.18Ω），有助于减少导通状态下的功率损耗。
3. 较低的栅极电荷和反向恢复时间，提高了开关速度并降低了开关损耗。
4. 优秀的热稳定性，能够在高温环境下长时间稳定运行。
5. TO-220标准封装，便于安装和散热设计。
6. 符合RoHS环保标准，满足现代绿色电子产品的要求。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器的核心功率元件。
3. 电机驱动电路中的控制开关。
4. LED照明系统的恒流驱动模块。
5. 充电器和适配器中的关键组件。
6. 工业控制设备中的功率调节部件。
IRF840, STP30NF10, K1208
